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NTD4855NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: NTD4855NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4855NT4G-VB

NTD4855NT4G-VB概述

    NTD4855NT4G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4855NT4G 是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种应用场合,包括OR-ing、服务器和直流转换(DC/DC)电路。这款MOSFET采用了TrenchFET® Power技术,具备出色的功率密度和低导通电阻,是高效率开关电源和电机控制的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是NTD4855NT4G的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.5 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.002 | - | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 100 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 | - | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | - | 235 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    注释:
    - 额定参数基于25°C条件下测量。
    - 连续漏极电流基于最大结温为175°C。
    - 功耗计算基于最大结温为175°C。

    3. 产品特点和优势


    NTD4855NT4G 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:典型值为0.002Ω,适合需要低导通损耗的应用。
    - 高可靠性:所有产品都经过Rg和UIS测试,符合RoHS标准。
    - 高性能:采用TrenchFET® Power技术,具有优异的开关特性和热稳定性。
    - 广泛适用性:适用于服务器、OR-ing电路及直流转换器等多种应用。
    这些特点使得NTD4855NT4G 在高效率和高可靠性的应用场景中表现出色,具有较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器:用于高效能服务器电源管理,提供稳定可靠的电力供应。
    - OR-ing电路:通过降低功率损耗,提高系统的整体效率。
    - 直流转换(DC/DC)电路:适用于需要高效率的电源转换场合。
    使用建议:
    - 在进行热设计时,考虑MOSFET的热阻参数,以确保在高温环境下正常工作。
    - 由于该MOSFET具有低导通电阻,因此在高电流应用中可以显著降低功耗,提高效率。
    - 在系统设计中,注意栅极驱动电路的设计,以避免栅极振铃现象,提高系统的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    NTD4855NT4G 与大多数常见的PCB板设计兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南和使用说明。此外,还可以通过400-655-8788服务热线获取更多技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何处理MOSFET过热?
    解决方案:
    - 确保良好的散热措施,如使用散热片和风扇。
    - 检查系统的热设计,优化散热路径,减少热阻。
    - 如果必要,可以降低工作频率以减小发热。
    问题2:栅极驱动电路出现噪声干扰怎么办?
    解决方案:
    - 使用屏蔽线缆来隔离栅极信号线。
    - 增加滤波电容以减少高频噪声。
    - 优化电路布局,缩短栅极引线长度,减少杂散电感。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTD4855NT4G 是一款具备低导通电阻、高可靠性、高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高效率应用场合。其广泛的适用性和强大的技术支持使其成为电子工程师在设计高效率开关电源和电机控制系统时的理想选择。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和高可靠性的应用场景中。

NTD4855NT4G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD4855NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4855NT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4855NT4G-VB NTD4855NT4G-VB数据手册

NTD4855NT4G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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