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GT2603-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: GT2603-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) GT2603-VB

GT2603-VB概述

    # GT2603 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    GT2603 是一款 P 沟道 30V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用了 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。这款 MOSFET 广泛应用于负载开关和其他需要高效率和可靠性的电路中。该产品无卤素,符合 IEC 61249-2-21 标准。

    技术参数


    以下是 GT2603 的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS): 30V
    - 漏极连续电流 (ID):
    - 在 25°C 时:4.8A
    - 在 70°C 时:4.1A
    - 最大值(稳态条件):4.0A (25°C), 3.5A (70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 20A
    - 输入电容 (Ciss): 450pF
    - 输出电容 (Coss): 80pF
    - 反向传输电容 (Crss): 63pF
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VGS = -10V 时:10nC
    - VGS = -4.5V 时:5.1nC
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 55°C/W
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF): 34°C/W

    产品特点和优势


    GT2603 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = -10V 和 -4.5V 时分别为 0.049Ω 和 0.054Ω。
    - 高效率: 由于其低导通电阻,该 MOSFET 可以显著降低功率损耗,提高系统整体效率。
    - 良好的热管理: 具有较低的热阻,能够在高温环境下保持稳定的性能。
    - 高可靠性: 无卤素材料,符合 IEC 61249-2-21 标准,适用于多种工业和消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    GT2603 主要用于负载开关,如电机驱动、电源管理电路、汽车电子系统和通信设备中的开关控制。它还可以应用于需要高可靠性和效率的其他电子系统中。
    使用建议
    为了最大化 GT2603 的性能,建议遵循以下几点使用建议:
    1. 合理布局: 确保 PCB 布局合理,尤其是 MOSFET 的栅极走线,以减少寄生电感和噪声干扰。
    2. 散热设计: 考虑到其热阻较高,建议增加散热片或采用更有效的散热方案,以确保长期稳定运行。
    3. 驱动设计: 使用适当的栅极驱动器,确保栅极电压能够快速变化,从而降低开关损耗。

    兼容性和支持


    GT2603 可以与其他标准电子元器件兼容,例如标准 PCB 尺寸和接口。VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. Q: 如何确定合适的散热方案?
    - A: 通过计算热阻和环境温度,选择合适的散热片或其他散热方式。可以参考手册中的热管理章节。
    2. Q: 如何避免过热损坏?
    - A: 确保在高温条件下不超过最大额定电流和电压,使用散热片或风扇等散热措施,并监控系统温度。
    3. Q: 如何进行正确的 PCB 布局?
    - A: 保证栅极走线短而直,减少寄生电感;将 MOSFET 尽量靠近电源输入点,减少回路面积。

    总结和推荐



    总结

    :
    GT2603 P-Channel MOSFET 是一款性能优良的电子元器件,具有低导通电阻、高效能和高可靠性等特点。其在多种应用场景下表现出色,特别适合需要高效率和可靠性的负载开关电路。
    推荐:
    基于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐 GT2603 P-Channel MOSFET 给寻求高效、可靠和耐用电子解决方案的工程师和技术人员。

GT2603-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4.8A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

GT2603-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

GT2603-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 GT2603-VB GT2603-VB数据手册

GT2603-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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