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J601-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J601-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J601-ZK-VB

J601-ZK-VB概述


    产品简介


    P-Channel 60V MOSFET 是一种采用沟槽型TrenchFET技术的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于负载开关等场合。这类产品能够有效地控制高电压和大电流的应用,适用于工业自动化、电源管理和消费电子产品等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 60V
    - 最大连续漏电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C 时为 -50A
    - TC = 125 °C 时为 -40A
    - 最大脉冲漏电流(IDM): -160A
    - 最大单次脉冲雪崩能量(EAS): 125mJ
    - 功率耗散:
    - TC = 25 °C 时为 113W
    - TA = 25 °C 时为 2.5W
    - 工作温度范围:
    - 操作结温和存储温度范围为 -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    P-Channel 60V MOSFET 具有以下显著特点和优势:
    - 高性能:采用沟槽型TrenchFET技术,确保在高频应用中的低损耗。
    - 可靠性强:具备较大的绝对最大额定值,能够在极端条件下稳定运行。
    - 易于集成:小型化封装(TO-252),便于在印刷电路板上的安装和布局。
    - 宽泛的工作温度范围:支持在极端温度条件下的稳定工作,适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该MOSFET常用于负载开关,如电源转换器、直流电机控制和电源管理模块。特别是在需要高电流处理能力和稳定性的应用中表现尤为出色。
    使用建议:
    1. 在使用过程中应注意散热设计,特别是当MOSFET处于高负载状态时,确保散热片或其他散热装置的有效性。
    2. 针对不同应用需求,可以选择不同的门极驱动电路,以获得最佳的开关性能。
    3. 在设计系统时,要确保电源输入电压和负载电流不超过MOSFET的最大额定值。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准的TO-252封装,具有较好的通用性和互换性,可与市面上常见的PCB进行匹配安装。VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户快速集成和调试产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 为什么我的MOSFET在高温下会过热?
    - A: 确保在设计时充分考虑散热措施,尤其是在高负载情况下。使用较大的散热片或者增加散热风扇可以帮助降低MOSFET的温升。
    - Q: MOSFET的阈值电压较高,如何降低功耗?
    - A: 可以通过降低门极驱动电压来降低功耗。选择合适的驱动电路和调整门极电阻可以有效改善功耗。
    - Q: 在什么条件下MOSFET可能会出现雪崩击穿?
    - A: MOSFET在短时间内承受极高电流时可能会发生雪崩击穿,因此应确保设计中有足够的保护措施。

    总结和推荐


    总结:
    P-Channel 60V MOSFET 是一款具备高性能和可靠性的电子元器件,特别适用于需要处理高电流和高电压的应用场景。其宽泛的工作温度范围和稳定的电气特性使其成为众多工业应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐使用P-Channel 60V MOSFET,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。该产品在性能、耐用性和易用性方面都表现出色,可以满足各种复杂应用场景的需求。

J601-ZK-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,25mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J601-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J601-ZK-VB数据手册

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J601-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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