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UT3403L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT3403L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3403L-AE3-R-VB

UT3403L-AE3-R-VB概述

    UT3403L-AE3-R P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:P-Channel MOSFET(沟道型功率场效应晶体管)
    主要功能:
    - 作为负载开关、笔记本适配器开关、DC/DC转换器中的关键组件
    - 具有高集成度和低导通电阻的特点,适用于移动计算领域
    应用领域:
    - 手机和笔记本电脑
    - 电源管理电路
    - 通信设备
    - 工业控制设备

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = - 250 µA -30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = - 250 µA | -0.5 2.0 | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | VGS = -10 V, ID = - 4.4 A | 0.046 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS = -15 V, VGS = 0 V, f=1 MHz 1295 pF |
    | 输出电容 | Coss | 150 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 130 | pF |
    | 最大连续栅极电流 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ± 20 V | ±100 nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | VDS = -30 V, VGS = 0 V | -1 µA |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | -18 | A |
    | 最大功耗 | PD | TC = 25 °C 2.5 | W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 使用先进的TrenchFET®技术
    - 100%栅极电阻测试(Rg)
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),保证高效能运行
    - 快速开关速度和低损耗特性
    - 良好的热阻抗,确保长时间稳定工作
    市场竞争力:
    - 适用于多种消费电子和工业电子产品
    - 高集成度,减少外围电路设计复杂度
    - 出色的耐温性和可靠性,适合苛刻的应用环境

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 笔记本适配器中的开关元件
    - DC/DC转换器中的高效率开关
    - 移动设备的电源管理系统
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意散热管理,避免过热导致的失效
    - 遵循推荐的安装方式和引脚排列,确保良好的电气连接
    - 根据不同的应用需求选择合适的驱动电压

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准SOT-23封装兼容,易于安装和替换
    支持和服务:
    - 客户可以联系供应商获得技术支持和售后服务
    - 产品有详细的技术文档和参数表格,方便参考

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,使用外部散热器 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路和电源电压 |
    | 电流过载 | 增加外置保险丝或过流保护装置 |
    | 运行时发热严重 | 检查是否安装正确,引脚接触不良 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - UT3403L-AE3-R P-Channel MOSFET 具有出色的电气特性和良好的可靠性,适用于多种高性能应用
    - 强烈推荐用于需要高效率和紧凑尺寸的现代电子设备
    结论:
    UT3403L-AE3-R 是一款高效可靠的P-Channel MOSFET,具备出色的性能和广泛的应用范围,值得在现代电子设备中推广应用。

UT3403L-AE3-R-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 5.6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3403L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3403L-AE3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3403L-AE3-R-VB UT3403L-AE3-R-VB数据手册

UT3403L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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起订量: 80 增量: 3000
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最小起订量为:80
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