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9979GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: 9979GH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9979GH-VB

9979GH-VB概述


    产品简介


    本产品是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET,型号为9979GH。其主要功能是作为电子开关或高效能驱动器使用,在诸如电机控制、电源转换、LED驱动及各种高频开关电路等应用领域中表现卓越。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | - | 60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 门体泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | 50 | 250 | µA |
    | 导通漏极电流 | ID(on) | - | 50 | - | A |
    | 导通电阻 | rDS(on) | - | 0.025 (VGS=10V) | - | Ω |
    | 转导电容 | gfs | - | 20 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 1500 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 140 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 60 | pF |
    | 总门电荷 | Qg | - | 11 | 17 | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | - | 3 | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | - | 3 | nC |

    产品特点和优势


    该N沟道TrenchFET®功率MOSFET具备以下特点和优势:
    - 高工作温度:该MOSFET能够在高达175°C的结温下稳定运行,适合恶劣环境的应用需求。
    - 低导通电阻:rDS(on)在各种条件下的值均保持在较低水平(例如,在VGS=10V时为0.025Ω),从而有效降低了损耗并提高了效率。
    - 快速开关特性:拥有优良的动态性能,包括低输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),以及快速的上升时间(tr)和下降时间(tf)。
    - 热阻性能:具有出色的热性能,能够承受大电流脉冲,并提供良好的散热能力。
    这些优势使其成为电机控制、电源转换、LED驱动和各种高频开关电路的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET可以广泛应用于电力电子系统中,例如:
    - 电机驱动:用于电动机的精确控制,提升电机性能和可靠性。
    - 电源管理:用于各类开关电源的设计,提高效率和稳定性。
    - 照明控制:在LED驱动器中实现高效且精确的电流调节。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议采取以下措施:
    - 散热设计:合理规划散热路径,如增加散热片或散热风扇,以维持较低的工作温度。
    - 正确连接:确保电路连接正确无误,特别是与栅极相关的引脚需避免静电放电损害。
    - 负载匹配:根据具体应用场景调整外部电路参数,确保与负载的最佳匹配。

    兼容性和支持


    - 兼容性:9979GH型号设计时充分考虑了与其他电子元件的兼容性,方便集成到现有系统中。
    - 技术支持:如有任何技术疑问或需要进一步的帮助,可通过电话(400-655-8788)联系制造商获取专业支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 工作过程中出现异常发热 | 检查电路布局是否合理,确保良好的散热条件;更换更合适的外部冷却措施。 |
    | 无法正常导通 | 检查连接是否牢固;验证门极驱动信号是否符合要求。 |
    | 门极电压过低导致导通困难 | 确认电源供应是否足够;检查电路板是否有虚焊或短路现象。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款9979GH型号的N沟道TrenchFET®功率MOSFET凭借其高可靠性和优异的性能指标,在多个关键应用领域展现出色的表现。它不仅适用于常规的电力电子系统,还在极端环境下依然能够提供稳定可靠的运行效果。因此,强烈推荐此产品用于需要高效能和强耐用性的工程项目。

9979GH-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9979GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9979GH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9979GH-VB 9979GH-VB数据手册

9979GH-VB封装设计

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