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JCS2N60VB-O-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N60VB-O-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60VB-O-V-N-B-VB

JCS2N60VB-O-V-N-B-VB概述

    JCS2N60VB-O-V-N-B N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS2N60VB-O-V-N-B 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和驱动应用。此MOSFET具有低门极电荷、增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性等特点,非常适合在高压环境中进行高效开关操作。产品完全符合RoHS指令2002/95/EC标准。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 电流参数
    - 持续漏电流 (ID): 1.28A @ 25°C
    - 脉冲漏电流 (IDM): 8A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 2A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6mJ
    - 电阻参数
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)): 5Ω @ VGS = 10V, ID = 1A
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 417pF
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 反向转移电容 (Crss): 5pF
    - 其他参数
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): 25µA
    - 最大功耗 (PD): 45W @ 25°C
    - 最高工作温度 (TJ): -55°C to +150°C
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷: 使得驱动要求简化,减少系统复杂度和成本。
    2. 增强的雪崩耐用性: 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐受性,提高了整体可靠性。
    3. 全特性参数: 包括完全指定的电容和雪崩电压及电流特性。
    4. 符合RoHS标准: 确保环保且满足国际法规要求。

    应用案例和使用建议


    JCS2N60VB-O-V-N-B 可广泛应用于各种电源转换器、电机驱动器和逆变器等设备。它特别适合在工业控制、汽车电子和消费电子产品中作为高压开关应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保门极驱动电路能够承受高瞬态电压。
    - 使用低电感电路布局以减少寄生效应,提高稳定性。
    - 选择合适的散热片以保证MOSFET在高负载下的正常运行。

    兼容性和支持


    JCS2N60VB-O-V-N-B 与多数常见的直流-交流逆变器和电机驱动系统兼容。公司提供详细的安装指南和技术支持,客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的漏电流导致系统过热。
    - 解决方案: 确认散热措施,适当增加散热片的面积或改善空气流通。
    - 问题: 在高压环境下使用时,发现雪崩电压不足。
    - 解决方案: 确认使用条件,确认输入电源是否符合规定的电压范围。

    总结和推荐


    JCS2N60VB-O-V-N-B 是一款高可靠性的N沟道MOSFET,适用于高压、高速开关应用。其优异的电气特性和高耐压能力使其成为众多电力转换和驱动应用的理想选择。鉴于其出色的表现和广泛应用,强烈推荐此产品给需要高压、高效能电力转换的应用场合。
    如果您有任何疑问或需求,请随时联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

JCS2N60VB-O-V-N-B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60VB-O-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60VB-O-V-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60VB-O-V-N-B-VB JCS2N60VB-O-V-N-B-VB数据手册

JCS2N60VB-O-V-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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