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JCS4N65F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: JCS4N65F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N65F-O-F-N-B-VB

JCS4N65F-O-F-N-B-VB概述


    产品简介




    产品名称:JCS4N65F-O-F-N-B-VB
    类型:N-Channel 650V(D-S)功率MOSFET
    主要功能:适用于各种电力转换和控制应用,如开关电源、电机驱动和照明系统。该MOSFET能够提供高效的开关性能,并具有低门极电荷和高抗压能力。
    应用领域:广泛应用于电源管理、电动工具、通信设备、工业自动化等领域。


    技术参数




    - 漏源电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):10V时为2.5Ω
    - 总栅极电荷(Qg(max)):48nC
    - 栅源电荷(Qgs):12nC
    - 栅漏电荷(Qgd):19nC
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 最大功耗(PD):30W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C到+150°C
    - 热阻抗(RthJA):最高为65°C/W


    产品特点和优势




    - 低门极电荷:低门极电荷使得驱动要求简单,降低功耗并提高效率。
    - 增强的耐压能力:改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐用性,提高了设备在恶劣环境下的可靠性。
    - 全面表征的电容:充分测试了电容和雪崩电压及电流,确保产品性能的稳定性。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令的要求,保证环保无害。


    应用案例和使用建议




    应用案例


    JCS4N65F-O-F-N-B-VB MOSFET广泛应用于各种电力变换和控制场景。例如,在直流电源逆变器中,它可以高效地进行电压转换,同时在电机控制系统中用于精确的电机驱动。

    使用建议


    1. 散热设计:鉴于较高的热阻,需要良好的散热设计来保持MOSFET的工作温度在安全范围内。
    2. 电路布局:在电路设计时,注意减少寄生电感和电容,确保驱动电路的稳定性和效率。
    3. 门极驱动:使用适当的门极电阻,以避免门极振荡和击穿风险。


    兼容性和支持




    - 兼容性:该MOSFET可以与其他常见的电子元器件和设备兼容,适用于多种电路设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和售后服务支持,确保用户能够快速解决问题并获得技术支持。


    常见问题与解决方案




    1. 问:如何判断MOSFET是否损坏?
    答:可以通过测量漏源电压(VDS)和栅源电压(VGS),确认是否在正常范围内。
    2. 问:如何正确选择门极驱动电阻?
    答:选择适当的门极电阻值,确保MOSFET在开启和关闭过程中的快速和稳定的转换时间。
    3. 问:如何提高散热效果?
    答:采用大面积散热片或者散热风扇,并确保良好的接触面。


    总结和推荐




    总结:JCS4N65F-O-F-N-B-VB MOSFET具有低门极电荷、高耐压能力和优异的可靠性,非常适合电力转换和控制应用。其全面的表征和详细的技术参数使其成为市场上可靠的解决方案之一。

    推荐:强烈推荐该产品给那些寻求高性能、高可靠性的电力变换和控制系统的工程师和技术人员。如果您的项目需要高效的电力转换和精准的电机驱动,那么这款MOSFET将是一个不错的选择。

JCS4N65F-O-F-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS4N65F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N65F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N65F-O-F-N-B-VB JCS4N65F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS4N65F-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.9796
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1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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