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UT2304G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: 14M-UT2304G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2304G-AE3-R-VB

UT2304G-AE3-R-VB概述

    # UT2304G-AE3-R N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2304G-AE3-R 是一款N沟道增强型硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高效率和低功耗的特点。此款器件采用了先进的TrenchFET®技术,使其在开关电源和低压电路应用中表现优异。本产品适用于DC/DC转换器和其他电力电子应用领域,广泛用于工业控制、通信设备及消费电子等领域。

    技术参数


    以下为UT2304G-AE3-R的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 | — | 30 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 0.7 | 2.0 | — | V |
    | 漏极连续电流(Ta=25°C) | ID | 5.3 | 6.5 | — | A |
    | 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | — | — | nA |
    | 开启状态漏源电阻 | RDS(on) | 0.030 | — | 0.033 | Ω |
    | 阈值温度系数 | ΔVGS(th)/TJ | — | -5 | — | mV/°C |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | — | 150 | °C |
    其他电气特性还包括输入电容、输出电容和反向传输电容等。更多详细信息请参考产品手册。

    产品特点和优势


    1. 高效能:采用TrenchFET®技术,显著降低导通电阻,提升整体效率。
    2. 环保设计:符合RoHS指令2002/95/EC以及IEC 61249-2-21标准,确保无卤素且绿色环保。
    3. 可靠性高:所有批次均通过100% Rg测试,保证产品质量一致性。
    4. 多功能应用:适合多种场景下的DC/DC转换需求,如通信、消费电子及工业自动化系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:利用其低导通电阻特性,在高频开关模式下实现高效能量转换。
    - 电机驱动:结合其快速开关能力,提供平稳可靠的电机控制解决方案。
    使用建议
    为了充分发挥UT2304G-AE3-R的优势,在使用时应注意以下几点:
    - 确保电路布局合理以减少寄生效应。
    - 使用适当的热管理措施来防止过热损坏。

    兼容性和支持


    该产品兼容广泛的PCB设计规范,并支持标准SOT-23封装形式。厂商提供了全面的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询热线(400-655-8788),帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常发热 | 检查外围电路是否匹配额定参数 |
    | 输出信号不稳定 | 调整门极驱动电阻至合适值 |

    总结和推荐


    综上所述,UT2304G-AE3-R是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合需要高效能和小型化的现代电力电子应用。其出色的热管理和良好的电气性能使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐给寻求高品质电源管理解决方案的专业人士。
    如果您正在寻找一款能够满足苛刻要求的小尺寸、高效率MOSFET元件,那么UT2304G-AE3-R将是您的理想选择!

UT2304G-AE3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2304G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2304G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2304G-AE3-R-VB UT2304G-AE3-R-VB数据手册

UT2304G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5058
50+ ¥ 0.476
150+ ¥ 0.4248
500+ ¥ 0.3183
3000+ ¥ 0.3064
9000+ ¥ 0.2975
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