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P17NK40Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: P17NK40Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P17NK40Z-VB

P17NK40Z-VB概述

    文章标题:P17NK40Z 650V N-Channel Super Junction MOSFET 技术分析

    1. 产品简介


    P17NK40Z 是一款由台湾 VBsemi Electronics 推出的 650V N-Channel 超结(Super Junction)MOSFET,具备出色的性能和广泛的应用场景。此产品主要针对高效率电源转换、工业控制、照明以及可再生能源等领域设计。其核心功能是通过优化开关性能和降低功耗,提高系统整体效率并减少热管理需求。P17NK40Z 的卓越特性和可靠性使其成为现代电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 P17NK40Z 的关键技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 最大导通电阻 (TJ=25°C) | 0.19 | Ω |
    | 标准栅极电荷 | 106 | nC |
    | 最大持续漏电流 | 20 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | 60 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | 367 | mJ |
    | 最高结温与存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 开关特性 | 低反向恢复时间 (trr) 和电荷 (Qrr) |
    | 输入电容 | 2322 | pF |
    P17NK40Z 在高温下仍能保持稳定性能,适合恶劣工作环境,其设计符合 RoHS 和无卤素标准。

    3. 产品特点和优势


    - 高效能开关性能:P17NK40Z 采用超结结构设计,大幅降低了反向恢复电荷 (Qrr) 和开关损耗,提升了开关频率能力。
    - 低栅极电荷 (Qg):仅需较少的驱动功率即可实现快速开启和关闭,降低了功耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有效减少了开关节点的振荡效应,改善了系统的电磁干扰 (EMI) 性能。
    - 宽广的工作温度范围:能够承受极端环境温度,适用于工业及消费级应用。
    - 高可靠性:提供雪崩能量额定值 (UIS),确保设备在过压情况下的稳定性。
    这些特点使得 P17NK40Z 在服务器电源、太阳能逆变器、焊接机等高要求场合中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信电源:作为服务器和通信设备电源供应的核心组件,P17NK40Z 可显著提高效率并延长设备寿命。
    - 照明系统:应用于高强度放电灯 (HID) 和荧光灯驱动电路,提升灯具性能。
    - 可再生能源:尤其适用于太阳能光伏逆变器,能够有效提高逆变器的整体效率。
    使用建议:
    1. 在设计中注意合理的 PCB 布局以降低寄生电感,防止过高的 dV/dt 导致开关损坏。
    2. 确保适当的散热设计,避免因长期高功率运行导致的过热问题。
    3. 配合高速驱动电路以最大化其性能优势。

    5. 兼容性和支持


    P17NK40Z 支持多种通用封装,与主流驱动芯片兼容。此外,VBsemi 提供全面的技术支持,包括设计指导、样品申请和技术文档下载服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关波形存在异常波动 | 检查 PCB 布局,减少杂散电感 |
    | 高温环境下性能下降 | 使用高效的散热器,并优化散热路径 |
    | 关断时出现高频振荡 | 增加栅极电阻 (Rg),减缓关断速度 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,P17NK40Z 是一款高性能、高可靠性的超级结 MOSFET,凭借其卓越的开关性能和低损耗特性,在众多电力电子应用中表现优异。对于需要高效、小型化和长寿命的产品设计,P17NK40Z 是理想的选择。我们强烈推荐将其用于高效率电源、工业控制和绿色能源领域。
    如需进一步技术支持或样品申请,请联系 VBsemi 官方服务热线:400-655-8788。
    版权信息:本文所有内容参考自 VBsemi 官方技术手册,未经授权不得复制或传播。

P17NK40Z-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P17NK40Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P17NK40Z-VB数据手册

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P17NK40Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
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