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KF7N68F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KF7N68F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF7N68F-VB

KF7N68F-VB概述

    KF7N68F Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    KF7N68F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备低栅源电压下的导通电阻(RDS(on))和高效率。它主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)和工业领域。这款MOSFET能够显著降低开关损耗和传导损耗,适合要求高效能和可靠性的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大值为650V。
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS = 10V时,最大值为1Ω。
    - 栅极电荷 (Qg):最大值为16nC。
    - 输入电容 (Ciss):在VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz条件下的典型值未给出。
    - 输出电容 (Coss):未提供具体数值。
    - 反向传输电容 (Crss):未提供具体数值。
    - 雪崩能量 (EAS):单脉冲最大值为97mJ。
    - 最大功耗 (PD):94W。
    - 最大连续漏极电流 (ID):在VGS = 10V下,TC = 25°C时为28A,TC = 100°C时为5.6A。
    - 最大单脉冲漏极电流 (IDM):未明确给出,但受到最大结温限制。
    - 工作环境温度范围:结温和存储温度范围为-55°C到+150°C。

    产品特点和优势


    KF7N68F的主要优势在于其低栅极电荷(Qg)和高击穿电压(VDS),使其具有较低的开关损耗和导通损耗。此外,其超低栅极电荷使得在快速开关应用中具有更高的效率。再者,其强大的抗雪崩能力使得在恶劣环境下依然可以稳定运行。

    应用案例和使用建议


    KF7N68F 主要用于高效率的电源转换电路。例如,在服务器电源中,它可以用来实现高效的电源管理和负载控制。在灯具驱动器中,可以作为高频逆变器的一部分,以确保灯具的工作稳定性。在使用时,建议仔细检查应用电路的设计,确保符合MOSFET的最大额定值和工作温度范围。特别是在高温环境中,需要注意散热措施以保证MOSFET的长期可靠性。

    兼容性和支持


    KF7N68F 与多种标准封装相兼容,适用于各种需要高电压、大电流的应用。厂商提供详细的技术支持文档和在线客服支持,帮助客户解决在设计和应用中可能遇到的问题。对于特定应用的定制化需求,可以联系厂商进行进一步咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流过高导致过热
    - 解决方案:增加散热片或采用强制风冷以提高散热效果。

    2. 问题:栅极信号不稳定导致开关频率不稳
    - 解决方案:使用低电感的栅极引线并保持短距离以减少杂散电感的影响。

    3. 问题:栅极损坏
    - 解决方案:在栅极引线上添加适当的保护电路,如齐纳二极管或瞬态电压抑制器(TVS)。

    总结和推荐


    KF7N68F 是一款高性能、高效能的功率MOSFET,适用于需要低损耗、高可靠性的应用场合。其出色的耐雪崩能力和低栅极电荷使其在多种高压应用中表现出色。如果您正在寻找一款高性价比且性能稳定的MOSFET,KF7N68F将是一个值得考虑的选择。

KF7N68F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF7N68F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF7N68F-VB数据手册

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KF7N68F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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