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US6K1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,2A,RDS(ON),150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: US6K1-VB SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) US6K1-VB

US6K1-VB概述

    US6K1 双通道N沟道20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    US6K1是一款双通道N沟道20V(D-S)MOSFET,属于高可靠性且符合环保标准的功率MOSFET器件。它广泛应用于便携式设备中的负载开关,具备卓越的电气特性和广泛的温度适应性,能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的要求。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20 V
    - 连续漏极电流 (ID):2.6 A (TC = 25°C),在TJ = 150°C下分别为2.2 A 和 2.3 A
    - 栅源电压 (VGS):±12 V
    - 最大功率耗散 (PD):2.7 W (TC = 25°C),1.7 W (TC = 70°C)
    - 热阻率 (RthJA):130°C/W(最大值)
    - 热阻率 (RthJF):80°C/W(最大值)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):20 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):0.5 V 至 2.0 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1 µA
    - 动态特性
    - 总栅电荷 (Qg):5.0 nC (VDS = 10 V, VGS = 8 V, ID = 1.5 A)
    - 开启延时时间 (td(on)):43 ns 至 65 ns (VDD = 10 V, RL = 8.3 Ω, ID ≈ 1.2 A)
    - 关断延时时间 (td(off)):480 ns 至 720 ns (VDD = 10 V, RL = 8.3 Ω, ID ≈ 1.2 A)

    产品特点和优势


    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21定义
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的工艺技术,提供低导通电阻和高可靠性
    - 完全栅极测试:确保100%的生产测试合格
    - 静电保护:ESD保护高达2100 V HBM
    - 符合RoHS标准:环保合规

    应用案例和使用建议


    - 便携式设备负载开关:US6K1适用于各种便携式设备中的负载开关,如移动电源、笔记本电脑、智能手机等。这类应用需要长时间稳定运行,US6K1在高温环境下的出色表现能够确保其在这些场景下的可靠运行。
    - 使用建议:为了提高效率和可靠性,建议在安装过程中确保良好的散热条件。避免长期处于高温环境下工作,可以有效延长器件的使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:US6K1采用SOT-363和SC-70两种封装形式,易于与多种电路板集成,可广泛应用于各种设备中。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和售后服务,确保用户能够在安装和使用过程中获得必要的支持。此外,公司还提供相关的软件工具和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的工作电压范围?
    - 解答:根据数据表,建议将VGS控制在0.5 V至2.0 V之间,以确保最佳的性能和可靠性。
    - 问题2:如果发现器件过热怎么办?
    - 解答:确保适当的散热措施,如增加散热片或改进通风条件。如果过热问题持续存在,建议联系技术支持获取进一步指导。

    总结和推荐


    总体而言,US6K1双通道N沟道20V MOSFET凭借其出色的性能、高可靠性和广泛的适用性,在便携式设备和其他应用中表现出色。它的低导通电阻和良好的温度特性使其成为一种理想的选择。强烈推荐给那些寻求高性能、环保且可靠的MOSFET产品的用户。

US6K1-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

US6K1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

US6K1-VB数据手册

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US6K1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.6915
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