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RFP45N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: RFP45N06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RFP45N06-VB

RFP45N06-VB概述

    RFP45N06 N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    RFP45N06 是一款 N-通道 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于表面贴装(Surface Mount)。此型号MOSFET具有逻辑电平门驱动(Logic-Level Gate Drive)、快速开关(Fast Switching)和无卤素材料(Halogen-free)。它符合RoHS指令2002/95/EC,适用于广泛的应用领域,如电源转换、电机控制和通信设备。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):50A @ TC = 25°C,36A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):400mJ
    - 最大功率耗散(PD):150W @ TC = 25°C,3.7W @ TA = 25°C
    - 最高结温(TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 电气特性:
    - 静态
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 零栅压漏极电流(IDSS):25μA
    - 动态
    - 输入电容(Ciss):190pF
    - 输出电容(Coss):-
    - 反向传输电容(Crss):-
    - 总栅电荷(Qg):66nC
    - 开启延迟时间(td(on)):17ns
    - 上升时间(tr):230ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):2ns
    - 下降时间(tf):110ns
    - 热阻率
    - 最大结到环境热阻(RthJA):62°C/W
    - 最大结到环境热阻(PCB安装):40°C/W
    - 最大结到壳(漏)热阻(RthJC):1.0°C/W

    产品特点和优势


    RFP45N06 具有以下特点和优势:
    - 逻辑电平门驱动:易于与逻辑电路接口。
    - 快速开关:适合高频应用,提高系统效率。
    - 无卤素材料:绿色环保,符合IEC 61249-2-21定义。
    - 低导通电阻:在VGS=10V时为0.024Ω,提高能源效率。
    - 高可靠性:符合RoHS指令,保证长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:常用于电源转换、电机控制和通信设备。
    - 使用建议:
    - 确保安装在符合尺寸要求的PCB上(1"正方形)以实现最佳散热效果。
    - 在高温环境下工作时,需注意最大连续电流限制。
    - 在进行高速切换操作时,确保电路布局中低杂散电感,防止电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:RFP45N06 与其他标准封装和电气特性相匹配,易于与其他元器件集成。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和应用指南,帮助客户解决使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高温下漏极电流降低。
    - 解决办法:增加散热片,改善散热条件。
    - 问题:开启延迟时间过长。
    - 解决办法:检查电路布局,减少杂散电感。
    - 问题:雪崩能量不足。
    - 解决办法:选择更高额定值的型号。

    总结和推荐


    RFP45N06 是一款高性能的N-通道MOSFET,具有快速开关、低导通电阻和高可靠性等特点。它适用于多种应用场景,如电源管理和电机控制。强烈推荐在设计新系统时考虑使用此产品。

RFP45N06-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RFP45N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RFP45N06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RFP45N06-VB RFP45N06-VB数据手册

RFP45N06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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