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K40S10K3Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K40S10K3Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40S10K3Z-VB

K40S10K3Z-VB概述


    产品简介


    K40S10K3Z是一款N沟道100V(D-S)MOSFET,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。这种MOSFET广泛应用于电源管理中,如初级侧开关和隔离式DC/DC转换器。其独特的技术使得它在高效率转换和热稳定性方面表现出色。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.5V ~ 5V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1µA @ VDS = 100V, VGS = 0V
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 30A @ VDS ≥ 5V, VGS = 10V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.0185Ω @ VGS = 10V, ID = 15A
    - 前向转移导纳 (gfs): 33S @ VDS = 15V, ID = 15A
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 2400pF @ VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 输出电容 (Coss): 230pF
    - 反向转移电容 (Crss): 80pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 38nC @ VDS = 50V, VGS = 10V, ID = 50A
    - 上升时间 (tr): 10ns ~ 20ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 18ns ~ 35ns
    - 落下时间 (tf): 8ns ~ 15ns
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 100V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 9.2A @ TC = 25°C, 6.8A @ TA = 25°C
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 101mJ @ L = 0.1mH
    - 最大功率耗散: 136.4W @ TC = 25°C, 68.2W @ TC = 100°C

    产品特点和优势


    K40S10K3Z具备以下几个独特功能和优势:
    - TrenchFET®技术:提供了低导通电阻和高效率的优点。
    - 100% Rg和UIS测试:确保了产品的稳定性和可靠性。
    - 适用于高频率应用:得益于其快速开关特性和较低的电容值。
    - 高可靠性和热稳定性:即使在高温环境下也能保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K40S10K3Z广泛应用于各种电源管理系统,例如:
    - 初级侧开关
    - 隔离式DC/DC转换器
    使用建议
    为了充分发挥K40S10K3Z的优势,建议在以下场景中使用:
    - 确保电路设计能够支持高频率开关,避免不必要的能量损失。
    - 使用适当的散热措施,特别是在高负载条件下运行。

    兼容性和支持


    K40S10K3Z可与其他标准电子元件兼容,如:
    - TO-252封装
    - 表面贴装
    制造商提供详细的安装指南和技术支持,以确保用户能够正确使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的散热措施?
    - 解决方案:根据产品的工作温度范围和预期的功耗,选择适当的散热片或散热器。
    2. 电路设计时需要注意哪些参数?
    - 解决方案:确保设计考虑了漏源电压、门源电压、连续漏极电流等关键参数,以避免过载损坏。

    总结和推荐


    K40S10K3Z以其出色的导通电阻和高频特性,在电源管理领域表现出色。其坚固的结构和卓越的热稳定性使其在严苛的应用环境中也能稳定工作。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的电源系统中使用K40S10K3Z。
    推荐指数:★★★★★

K40S10K3Z-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 45A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K40S10K3Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40S10K3Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40S10K3Z-VB K40S10K3Z-VB数据手册

K40S10K3Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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