处理中...

首页  >  产品百科  >  J287-VB

J287-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J287-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J287-VB

J287-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET(J287)
    产品类型:
    P-Channel 30-V(漏极-源极)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 高效率开关性能
    - 适用于负载开关和电池开关
    应用领域:
    - 负载开关
    - 电池开关
    - 各种电源管理应用

    技术参数


    电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):-30V
    - 最大连续漏电流 (ID):-7.6A(@TC=25°C),-5.8A(@TC=70°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):-35A
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):-1μA(@TJ=25°C)
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100nA(@VDS=0V, VGS=±20V)
    温度范围:
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 150°C
    热阻抗:
    - 最大结到环境热阻抗 (RthJA):40°C/W(瞬态)至 50°C/W(稳态)
    - 最大结到脚热阻抗 (RthJF):24°C/W(瞬态)至 30°C/W(稳态)
    其他关键参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.050Ω(@VGS=-10V, ID=-7.0A)
    - 前向转移电导 (gfs):18S(@VDS=-15V, ID=-7.0A)
    - 输入电容 (Ciss):1355pF(@VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 逆传输电容 (Crss):145pF

    产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET® Power MOSFET 技术提供了出色的性能。
    - 完全针对栅极电阻 (Rg) 进行测试,确保高可靠性。
    - 符合无卤素标准 (IEC 61249-2-21)。
    优势:
    - 极低的导通电阻 (RDS(on)),提高能效。
    - 宽泛的工作温度范围,适合多种恶劣环境。
    - 高度可靠的测试和设计,保证长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关:例如,用于电池管理系统中的开关。
    - 电池开关:适用于电动工具、电动车等设备的电池保护。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑散热问题以避免过热损坏。
    - 确保栅极驱动信号正确匹配,以获得最佳开关性能。
    - 对于脉冲操作,确保脉冲宽度和占空比不超过额定值。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与各种电源管理和负载控制电路兼容。
    支持:
    - 制造商提供详细的技术文档和支持,帮助客户解决应用中的问题。
    - 提供详尽的参数表和技术规格,便于设计和集成。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何处理过热问题?
    - 解决方案: 使用适当的散热片或散热器,并确保良好的空气流通。监控工作温度并避免长时间过载运行。
    2. 如何避免栅极震荡?
    - 解决方案: 在栅极回路中添加栅极电阻 (Rg),减少震荡风险。选择合适的栅极驱动器,确保信号稳定。
    3. 如何选择合适的电路保护措施?
    - 解决方案: 使用外部保护二极管和稳压电路,防止瞬态电压损害。根据应用需求配置合适的电路保护策略。

    总结和推荐


    总体评估:
    - 主要优点: 低导通电阻 (RDS(on))、高可靠性和宽工作温度范围。
    - 适用场景: 适用于电池管理和负载开关应用,尤其适合需要高能效和良好散热的设计。
    推荐结论:
    - 推荐使用 J287 P-Channel MOSFET,特别是在需要高性能、可靠性和广泛温度适应性的场合。此产品具有较高的市场竞争力,并且制造商提供了完善的技术支持和服务。

J287-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5.8A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J287-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J287-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J287-VB J287-VB数据手册

J287-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831