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2SJ594-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: 2SJ594-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ594-VB

2SJ594-VB概述


    产品简介


    P-Channel MOSFET 2SJ594 是一款高性能的沟槽型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效率和低损耗应用设计。其主要功能包括快速开关、低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(VDS),使其广泛应用于负载开关、电源管理等领域。

    技术参数


    - 漏源击穿电压(VDS): 最大值为60V
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): -1.0V 至 -3.0V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):
    - VDS = -60V, VGS = 0V: 最大值为1μA
    - VDS = -60V, VGS = 0V, TJ = 125°C: 最大值为50μA
    - VDS = -60V, VGS = 0V, TJ = 175°C: 最大值为150μA
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -5A: 最大值为0.100Ω
    - VGS = -10V, ID = -5A, TJ = 125°C: 最大值为0.150Ω
    - VGS = -10V, ID = -5A, TJ = 175°C: 最大值为0.150Ω
    - VGS = -4.5V, ID = -2A: 最大值为0.072Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C: 最大值为30A
    - TC = 100°C: 最大值为25A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 最大值为30A
    - 热阻抗(RthJA):
    - 瞬态: 最大值为25°C/W
    - 稳态: 最大值为75°C/W
    - 封装形式: TO-252

    产品特点和优势


    1. 沟槽型FET结构:采用先进的沟槽型技术,提供低导通电阻和高可靠性的结合。
    2. 100% UIS测试:确保产品的安全运行。
    3. 高耐压能力:最大漏源电压达60V,适用于多种高压应用场合。
    4. 快速开关特性:具备快速的开关时间,降低能耗并提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:可应用于各种负载开关电路中,确保高效稳定的电力转换。
    - 电源管理:利用其快速开关特性,优化电源管理系统的设计,提高整体效率。
    - 使用建议:为了优化性能,在设计时应考虑散热措施以保持较低的工作温度,从而延长产品寿命。此外,合理选择栅极驱动电阻以减小栅极电荷损失。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的SMD封装兼容,适用于多种PCB设计。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决在应用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何有效散热?
    - 解决方案: 使用散热片或散热器,增加散热面积,同时注意保持良好的空气流通。

    2. 问题: 如何优化开关时间?
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻,减少栅极电荷损失,从而缩短开关时间。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel MOSFET 2SJ594 是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件,其优秀的导通特性和可靠的使用寿命使其成为负载开关和电源管理的理想选择。强烈推荐用于需要高效率和稳定性的电力转换应用中。

2SJ594-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 38A
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ594-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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2SJ594-VB封装设计

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