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K4085-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K4085-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4085-VB

K4085-VB概述

    K4085-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K4085-VB 是一款高效率的 N-Channel MOSFET,适用于各种电源管理和工业控制应用。该产品具备低输入电容、快速开关能力和高浪涌能量等级等特点,适合在服务器、电信电源、焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和功率因数校正等领域使用。此外,它还能用于消费电子产品如液晶或等离子电视的显示模块中。

    2. 技术参数


    - 最大电压(VDS): 550 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2-4 V
    - 漏极电流(ID):
    - 持续电流(TJ = 150 °C): 18 A (TC = 25 °C)
    - 持续电流(TC = 100 °C): 11 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 56 A
    - 最大功耗(PD): 60 W
    - 结温范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 输入电容(Ciss): 3094 pF (VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容(Coss): 152 pF
    - 反向传输电容(Crss): 13 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 80-150 nC (VGS = 10 V, ID = 10 A, VDS = 400 V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.26 Ω (VGS = 10 V, ID = 10 A)

    3. 产品特点和优势


    - 低区域特异导通电阻:优化了设计,降低了能量损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少了栅极电荷,提高了开关速度。
    - 减少的电容切换损耗:适合高频率应用。
    - 高体二极管坚固性:适合要求高的工业应用。
    - 浪涌能量额定值(UIS):具有较高的抗浪涌能力。
    - 低成本:简单的设计使其成本较低。
    - 简单的门驱动电路:易于集成到现有系统中。
    - 低图腾柱系数(FOM: Ron x Qg):性能优异。
    - 快速开关:提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子产品:如液晶或等离子电视显示模块。
    - 服务器和电信电源:用于开关模式电源(SMPS)。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电:应用于电池充电电路。
    - 功率因数校正(PFC):用于改善电网质量。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免超过最大额定值。
    - 在高温环境中使用时,注意散热。
    - 针对不同应用需求,进行相应的测试和验证。

    5. 兼容性和支持


    K4085-VB 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电子元件和设备配合使用。台湾 VBsemi 电子公司提供技术支持和维护服务,确保客户能够顺利应用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    - A: 确保良好的散热设计,使用适当的散热片或风扇。
    - Q: 如何优化开关速度?
    - A: 减少栅极电荷,选择合适的驱动电阻(Rg)。
    - Q: 如何避免浪涌损坏?
    - A: 使用适当的保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS)。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K4085-VB N-Channel 550V MOSFET 是一款性能卓越的产品,适用于多种应用场合。其低功耗、高效率的特点使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的应用中使用此产品。
    此文章详细介绍了 K4085-VB 的各项特性及其在不同应用中的表现,希望能为您的项目提供有价值的参考。

K4085-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4085-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4085-VB数据手册

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K4085-VB封装设计

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