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IRLI530-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: IRLI530-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLI530-VB

IRLI530-VB概述


    产品简介


    IRLI530-VB是一款N沟道100V(漏-源)MOSFET,专为高电压隔离应用设计。此产品具有出色的热阻、动态dv/dt额定值和低热阻特性。IRLI530-VB采用全封装TO-220,符合无铅标准(RoHS),可在广泛的温度范围内工作,从-55°C到+175°C。此外,它还提供了良好的耐雪崩能力和脉冲电流能力,使其成为电源管理和其他电力转换应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 3.0V
    - 最大栅源泄漏电流 (IGSS): ± 100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)) @ VGS=10V: 0.086Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 72nC
    - 输入电容 (Ciss): 1700pF
    - 输出电容 (Coss): 560pF
    - 反向转移电容 (Crss): 120pF
    - 动态dv/dt: 5.5V/ns
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 连续漏极电流 (ID): 18A (TC=25°C), 12A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 68A
    - 最大功率耗散 (PD): 48W
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 5.5V/ns
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS): 720mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 17A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 4.8mJ
    - 最小热阻 (RthJA): 65°C/W

    产品特点和优势


    1. 高电压隔离: IRLI530-VB具有2.5kVRMS的高压隔离能力,确保了设备的安全性和可靠性。
    2. 优秀的热管理: 低热阻和高重复雪崩能量使其适用于高功率应用。
    3. 动态dv/dt额定值: 支持高速开关应用。
    4. 广泛的温度范围: 可以在极端温度条件下稳定工作,适用范围广泛。
    5. 兼容无铅制造工艺: 符合环保要求,适合现代化生产线。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 直流变换器: 在电动汽车、服务器和通信设备中作为电源管理组件。
    - 电机驱动器: 用于控制各种电机的运行。
    - 逆变器: 用于将直流电转换为交流电的应用中。
    使用建议:
    - 散热设计: 确保良好的散热系统,以避免过热导致的失效。
    - 布局优化: 尽量减少引线长度,降低寄生电感和电容的影响。
    - 保护电路: 添加适当的保护措施,如TVS二极管,防止电压尖峰对器件造成损害。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - IRLI530-VB可以与多种其他电子元器件一起使用,包括电流采样电阻、TVS二极管等。
    - 其全封装TO-220接口也使其易于与其他标准封装的组件进行连接。
    支持和服务:
    - Taiwan VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南、故障排查手册等。
    - 客户可以联系400-655-8788的服务热线,获取进一步的帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 检查并改进散热设计,确保设备的工作温度在允许范围内。

    2. 问题: 设备出现过压损坏。
    - 解决方案: 增加保护电路,如TVS二极管,来吸收过高的电压尖峰。

    3. 问题: 设备的开关频率较低。
    - 解决方案: 优化PCB布局,减少寄生电感,提高器件的开关速度。

    总结和推荐


    总体来说,IRLI530-VB是一款性能优越的N沟道MOSFET,特别适合于需要高电压隔离和可靠性的应用场景。其优良的热管理和广泛的工作温度范围使其成为电源管理领域的理想选择。此外,台湾VBsemi公司提供的技术支持和服务也为用户带来了极大的便利。我们强烈推荐这款产品给那些寻求高性能、高可靠性的电源管理组件的客户。

IRLI530-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRLI530-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLI530-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLI530-VB IRLI530-VB数据手册

IRLI530-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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