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K6A50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A50D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A50D-VB

K6A50D-VB概述

    K6A50D N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K6A50D 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高压环境下的开关应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),使其能够在服务器、电信电源系统及工业应用中实现高效能的功率转换。此外,K6A50D 也适用于高亮度放电(HID)灯和荧光灯的照明设备中,作为电路中的关键控制元件。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大连续漏电流(ID):10 A(在 TC = 25 °C 时)
    - 极限脉冲漏电流(IDM):120 A
    - 最大功率耗散(PD):250 W
    - 高温工作温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C
    - 电气特性
    - 最小阈值电压(VGS(th)):2.5 V
    - 最大零栅压漏电流(IDSS):1 μA
    - 导通电阻(RDS(on)):1 Ω(在 VGS = 10 V, ID = 4 A 时)
    - 输入电容(Ciss):13 pF
    - 输出电容(Coss):30 pF
    - 总栅极电荷(Qg):10 nC

    产品特点和优势


    K6A50D 具备多项显著优势:
    - 低 FOM 和输入电容:具备低导通电阻和低栅极电荷,有助于减少功率损耗和提高转换效率。
    - 高可靠性:最高耐受温度为 150 °C,适用于各种严苛环境。
    - 快速开关性能:超低栅极电荷(Qg)使得该 MOSFET 能够实现高速开关,减少热损失并提升整体效率。

    应用案例和使用建议


    K6A50D 在多种高压电源系统中表现出色,例如:
    - 电信和服务器电源供应:K6A50D 可用于降低电源损耗,提高系统效率。
    - 照明系统:用于 HID 灯和荧光灯的驱动,提供高效的能源转换。
    使用建议:
    - 散热设计:鉴于高功耗特性,应确保良好的散热设计以避免过热。
    - 门极驱动电路:建议使用适当的门极驱动电路来优化开关速度和稳定性。

    兼容性和支持


    K6A50D 采用标准的 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装且与多数同类产品兼容。VBsemi 提供全方位的技术支持,包括详细的使用指南和故障排除文档,确保客户能够顺利集成该器件到其设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间工作后温度过高。
    解决方案:增加散热措施,如添加散热片或强制冷却。
    2. 问题:开关过程中出现振铃现象。
    解决方案:调整门极驱动电阻以优化波形质量。
    3. 问题:电源供应不稳定。
    解决方案:检查电源线连接,确保电源稳定,并适当增加滤波电容。

    总结和推荐


    K6A50D N-Channel Power MOSFET 凭借其卓越的性能参数和可靠的设计,在多种高压电源系统中具有广泛的应用前景。无论是工业设备还是照明应用,它都展现出了出色的效率和稳定性。强烈推荐此产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。
    如有任何疑问或需要进一步的帮助,可联系服务热线:400-655-8788。

K6A50D-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A50D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6A50D-VB K6A50D-VB数据手册

K6A50D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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