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J302-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: J302-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J302-VB

J302-VB概述

    J302-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    J302-VB 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要特点是使用了 TrenchFET® 技术。该产品主要用于负载开关应用,能够在高达 60V 的电压下工作。此 MOSFET 在各种电路设计中扮演着重要的角色,适用于电源管理和控制等多种应用场景。

    2. 技术参数


    - 基本规格:
    - 管脚配置: G (栅极), D (漏极), S (源极)
    - 封装形式: TO-220AB
    - 漏极-源极击穿电压: V(BR)DSS = -60V
    - 栅极-源极电压: VGS = ±20V
    - 连续漏极电流: ID = -40A (TJ = 25°C),随温度升高而减小
    - 脉冲漏极电流: IDM = -90A
    - 零栅极电压漏极电流: IDSS = -1A
    - 最大功率耗散: PD = 60W (TA = 25°C)
    - 热阻抗: RthJA = 25°C/W (脉冲测试)
    - 静态参数:
    - 栅极阈值电压: VGS(th) = -1.0V ~ -3.0V
    - 开启状态下漏极-源极电阻: rDS(on) = 62mΩ (VGS = -10V, ID = -5A)
    - 输入电容: Ciss = 1300pF
    - 输出电容: Coss = 120pF
    - 反向转移电容: Crss = 90pF
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷: Qg = 13nC
    - 门电阻: Rg = 8.0Ω
    - 开启延迟时间: td(on) = 5~10ns
    - 上升时间: tr = 14~25ns
    - 关闭延迟时间: td(off) = 15~25ns
    - 下降时间: tf = 7~12ns

    3. 产品特点和优势


    J302-VB 具有多种显著特点:
    - TrenchFET® 技术: 通过采用先进的沟槽工艺,提高了 MOSFET 的效率和可靠性。
    - 高可靠性: 所有产品都经过 100% UIS 测试,确保长期稳定运行。
    - 宽工作温度范围: Tstg = -55°C ~ 175°C,适合极端环境应用。

    4. 应用案例和使用建议


    J302-VB 主要应用于负载开关,例如在电源管理模块中作为开关元件。以下是一些使用建议:
    - 在高功率应用中,考虑到其较高的热阻抗,需要合理的散热措施以避免过热。
    - 使用过程中应遵循绝对最大额定值以防止损坏。
    - 在高频开关电路中,应关注其动态特性如开关时间和上升时间,合理选择驱动电路。

    5. 兼容性和支持


    J302-VB 通常与标准的 TO-220AB 封装兼容,可以轻松集成到现有设计中。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的规格书和热设计指南,有助于客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何确定适当的散热措施?
    - 解答: 根据热阻抗参数计算所需的散热片面积,并确保良好的接触。
    - 问题2: 如何避免过载?
    - 解答: 严格按照绝对最大额定值使用,避免长时间超过规定条件的操作。
    - 问题3: 如何测试 MOSFET 是否正常工作?
    - 解答: 使用万用表测量栅极-源极电阻和漏极-源极电阻,确认符合技术手册中的规格。

    7. 总结和推荐


    J302-VB MOSFET 是一款高效且可靠的 P 沟道 MOSFET,适用于多种工业和消费类电子应用。其优秀的动态特性和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。建议在设计需要高可靠性和良好性能的电路时优先考虑此产品。
    如需进一步的技术支持或样品申请,请联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788。

J302-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@10V,74mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 40A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J302-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J302-VB数据手册

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J302-VB封装设计

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