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2SJ479S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-75A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 2SJ479S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ479S-VB

2SJ479S-VB概述

    2SJ479S-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SJ479S-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的P通道30V(漏极-源极)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET广泛应用于负载开关和笔记本适配器开关等场合。它具有无卤素设计和高可靠性测试等特点,非常适合于需要高性能、高稳定性的电路设计。

    技术参数


    - 额定电压:漏极-源极电压 \( V{DS} \) 额定值为30V。
    - 连续漏极电流:在环境温度 \( TA = 25^\circ\text{C} \) 下最大额定值为-75A;在70°C下为-65A。
    - 脉冲漏极电流:最大值为-200A。
    - 门限电压:栅极-源极电压 \( V{GS(th)} \) 范围为-1.0V至-2.5V。
    - 导通电阻:在 \( V{GS} = -10\text{V} \) 时为0.008Ω,在 \( V{GS} = -4.5\text{V} \) 时为0.011Ω。
    - 热阻抗:最大结-壳热阻 \( R{thJF} \) 为25°C/W。
    - 其他特性:无卤素、耐热设计、100% \( Rg \) 测试和100% \( UIS \) 测试等。

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合RoHS标准,环保友好。
    - 高可靠性测试:100% \( Rg \) 和100% \( UIS \) 测试确保产品质量。
    - 低导通电阻:典型值为0.008Ω(\( V{GS} = -10\text{V} \)),保证高效能运行。
    - 高击穿电压:额定值为30V,适合高电压应用。
    - 快响应时间:典型上升时间为12ns,下降时间为18ns,适合高速开关应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:用于控制电源线路,可实现高效的开关操作。
    - 笔记本适配器开关:在笔记本适配器中作为开关元件,提供可靠的电源管理。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,以避免过热。
    - 确保电路设计符合器件的额定电流和电压要求,避免超过极限参数导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种标准PCB板,如FR4板,易于安装。
    - 技术支持:联系台湾VBsemi客户服务热线:400-655-8788,获取更多支持和服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温环境下运行不稳?
    - A: 确保良好的散热措施,必要时增加散热片或外部冷却系统。

    - Q: 开关过程中出现高频噪音?
    - A: 检查电路布局,确保去耦电容适当,并保持电路走线短而直接。

    总结和推荐


    2SJ479S-VB P-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET器件,特别适合于负载开关和笔记本适配器开关等应用。它的低导通电阻、快速响应时间和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高效率和高稳定性的设计,我们强烈推荐使用此产品。
    以上内容涵盖了2SJ479S-VB的技术手册中的核心要点,详细介绍了其基本特性、应用案例及使用建议,旨在帮助读者全面了解该产品的特性和优势。

2SJ479S-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ479S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ479S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ479S-VB 2SJ479S-VB数据手册

2SJ479S-VB封装设计

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