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IXTY1N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IXTY1N80P-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTY1N80P-VB

IXTY1N80P-VB概述


    产品简介


    IXTY1N80P是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种电源管理应用。它通过低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg)实现高效的开关性能,从而显著降低开关损耗和传导损耗。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高强度放电灯(HID)照明及荧光灯照明等领域。此外,IXTY1N80P还可用于焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源和太阳能逆变器等工业应用中。

    技术参数


    - 漏源击穿电压(VDS): 最大800V
    - 栅源击穿电压(VGS): ±30V
    - 连续漏电流(TJ = 150°C): 2.8A
    - 脉冲漏电流(IDM): 5A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 14mJ
    - 最大耗散功率(PD): 62.5W
    - 最大结温及存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C至+150°C
    - 热阻率(RthJA): 最大62°C/W
    - 零栅源电压漏电流(IDSS): 最大1μA
    - 输出电容(Coss): 20pF
    - 总栅电荷(Qg): 最大19.6nC
    - 导通电阻(RDS(on)): 最小2.38Ω(典型值)
    - 反向恢复时间(trr): 最大556ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 最大1.8μC
    - 输入电容(Ciss): 315pF
    - 反向传输电容(Crss): -6pF

    产品特点和优势


    IXTY1N80P具备多项独特功能和优势,使其成为高效能电源管理的理想选择。其中,其低导通电阻(RDS(on))和超低栅极电荷(Qg)是显著降低开关和传导损耗的关键。此外,IXTY1N80P具有优异的雪崩耐受能力,能够在高电压和高电流环境下稳定运行,且具有较强的可靠性。

    应用案例和使用建议


    IXTY1N80P适用于广泛的电源管理和工业应用。例如,在服务器和电信电源供应中,其高效的开关性能有助于提高整体系统效率;在焊接和感应加热应用中,IXTY1N80P可以提供强大的电流处理能力;而在可再生能源和太阳能逆变器中,IXTY1N80P的高可靠性和耐高温特性能够确保长时间稳定运行。
    为了优化IXTY1N80P的应用效果,建议在设计电路时注意以下几点:
    - 使用较低的寄生电感,以减少开关损耗。
    - 实施有效的接地平面,确保良好的散热。
    - 选择合适的驱动器,以控制开关过程中的瞬态行为。

    兼容性和支持


    IXTY1N80P与大多数标准电源管理系统兼容。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持和服务,包括详细的安装指南、应用笔记和技术文档。此外,VBsemi还为客户提供快速响应的技术支持团队,以解决任何潜在的问题。

    常见问题与解决方案


    在使用IXTY1N80P时,用户可能会遇到以下问题及其相应的解决方案:
    1. 栅极振荡(Gate Oscillation):
    - 问题:电路中出现栅极信号不稳定现象。
    - 解决方法:在栅极和驱动器之间添加栅极电阻(Rg),以稳定栅极信号。
    2. 发热过快(Excessive Heating):
    - 问题:MOSFET在运行过程中温度迅速升高。
    - 解决方法:检查电路布局,确保良好的散热条件,必要时增加散热片或热管。
    3. 反向恢复问题(Reverse Recovery Issues):
    - 问题:在开关过程中出现较大的反向恢复峰值电流。
    - 解决方法:使用软恢复二极管,或者优化电路布局,以减少杂散电感。

    总结和推荐


    综上所述,IXTY1N80P凭借其卓越的性能、可靠性和广泛的应用范围,成为众多电源管理应用中的理想选择。其低导通电阻和超低栅极电荷特性,显著降低了开关和传导损耗,提高了系统的整体效率。因此,强烈推荐IXTY1N80P在需要高性能、高可靠性的电源管理系统中使用。

IXTY1N80P-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IXTY1N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTY1N80P-VB数据手册

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IXTY1N80P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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