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F20NF06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: F20NF06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F20NF06-VB

F20NF06-VB概述

    F20NF06-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品名称:F20NF06-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET
    产品类型:这是一款适用于多种应用场景的功率N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。
    主要功能:
    - 高耐压隔离包封装(Isolated Package)
    - 高电压隔离(High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS)
    - 低热阻(Low Thermal Resistance)
    - 动态dv/dt额定值(Dynamic dv/dt Rating)
    应用领域:
    该MOSFET适用于各种高压电力转换应用,如开关电源、逆变器、电机驱动器等。它还特别适用于需要高温稳定性的工业控制和汽车电子系统。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的主要技术参数:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 60 V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 1.0 - 3.0 V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | VGS = 10 V时0.027 Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | - 1500 pF |
    | 输出电容 (Coss) | - |
    | 转移电容 (Crss) | - |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - 5 nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 27 nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 46 nC |
    | 最大耗散功率 (PD) | TC = 25 °C时 52 W |
    | 最高结温 (TJ) | -55 to +175 °C |
    | 峰值二极管恢复电压 (dV/dt)| 4.5 V/ns |

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS的电压隔离能力确保了更高的安全性和可靠性。
    - 低热阻:优秀的热管理设计使得MOSFET能够在高温环境下保持良好的性能。
    - 动态dv/dt额定值:适应性强,适合于高频开关电路的应用。
    - 低功耗:由于其低RDS(on),在满载状态下能显著降低损耗。
    - 宽温度范围:-55到+175 °C的工作温度范围使其适用于极端环境。
    市场竞争力:
    在高压电力转换及恶劣环境下的应用中,F20NF06-VB表现出了卓越的性能和可靠性,尤其适合于需要高稳定性和高可靠性的工业和汽车应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:F20NF06-VB可以用于各种开关电源中作为关键组件,以实现高效的电力转换。
    - 逆变器:应用于电动车辆和储能系统中,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动器:适用于需要快速响应和高精度控制的电机控制系统。
    使用建议:
    - 散热管理:在使用过程中,确保有效的散热管理,避免因过热导致损坏。
    - 负载电流选择:选择适当的负载电流以充分利用其性能并避免因过载导致故障。
    - 电路布局优化:在设计电路时,减少寄生电感,增强地平面的设计,确保最佳的电磁兼容性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    F20NF06-VB MOSFET采用标准的TO-220 FULLPAK封装,与多种现有的电路板设计兼容,便于集成和使用。
    支持:
    台湾VBsemi公司提供了详尽的技术支持和服务热线(400-655-8788),以便用户在遇到任何问题时能够得到及时的支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何处理过热问题?
    - 解决方案:使用合适的散热片,并确保良好的空气流通,同时考虑在热设计上增加散热片或采用液冷系统。
    2. MOSFET在高电压条件下不稳定怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有连接和焊接点牢固,避免虚焊和断路,确保电路板符合所需的电气特性要求。
    3. MOSFET的关断时间较长怎么办?
    - 解决方案:适当减小栅极电阻,以加快开关速度;或使用更优的驱动电路来优化开关性能。

    总结和推荐


    综合评估:
    F20NF06-VB MOSFET凭借其高电压隔离、低热阻、动态dv/dt额定值以及宽温度范围的特点,展示出卓越的性能和可靠性。它非常适合于需要高压、高可靠性的电力转换应用。
    推荐使用:
    综上所述,F20NF06-VB MOSFET是一款值得推荐的产品,特别是在工业控制和汽车电子领域,能够满足严苛的工作条件和需求。

F20NF06-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F20NF06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F20NF06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F20NF06-VB F20NF06-VB数据手册

F20NF06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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