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IRF4104-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: IRF4104-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF4104-VB

IRF4104-VB概述

    # IRF4104-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF4104-VB 是一款N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220AB 封装。这款 MOSFET 非常适合同步整流和电源供应等应用。其核心特性包括低导通电阻、高可靠性以及优异的热性能,使其在各种高功率应用中表现出色。

    技术参数


    以下是 IRF4104-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 | ID 110 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 270 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 85 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 320 | V·A |
    | 漏源体二极管电流 | IS | 2.6 110 | A |
    | 最大功率耗散 | PD 312 W |
    | 最大接合温度 | TJ | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    IRF4104-VB 的主要特点和优势如下:
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,有效降低导通电阻,提高开关速度。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个产品均通过栅极电阻和安全运行测试,提供更高的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 10 V 条件下仅为 6 mΩ,适用于需要高效转换的应用。
    - 高热阻抗:最大结壳热阻为 0.33 °C/W,确保良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    IRF4104-VB 广泛应用于同步整流和电源供应系统中。例如,在一个典型的电源转换器设计中,IRF4104-VB 可以作为高效率的开关器件,显著提升系统的整体能效。使用时应注意:
    - 匹配驱动电路:为了充分利用 IRF4104-VB 的低导通电阻,建议使用具有较高驱动能力的驱动电路。
    - 散热设计:考虑到较高的功率耗散,需设计有效的散热措施,如增加散热片或使用散热膏。

    兼容性和支持


    IRF4104-VB 具有良好的通用性和兼容性,可以方便地集成到现有的系统中。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和应用该产品。此外,还提供多种配套工具和软件支持,进一步提升用户的应用体验。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:启动延迟时间过长。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路的驱动强度,必要时增加驱动能力。

    - 问题:热性能不佳。
    - 解决方案:改善散热设计,例如增加散热片或使用导热膏。

    总结和推荐


    IRF4104-VB N-Channel MOSFET 在各方面表现都非常出色,特别是在低导通电阻和高可靠性方面。它的高热性能使其适用于多种高功率应用场合。总体而言,推荐在高效率、高可靠性的电源转换系统中使用该产品。

IRF4104-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 110A
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF4104-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF4104-VB数据手册

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IRF4104-VB封装设计

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