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95T08GP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 95T08GP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 95T08GP-VB

95T08GP-VB概述


    产品简介


    95T08GP-VB是一款高性能的N沟道80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®工艺制造。它具有高效率、低损耗的特点,在多种应用场景中表现优异。这款MOSFET广泛应用于开关电源、同步整流、DC/AC逆变器和LED背光等领域。

    技术参数


    以下是95T08GP-VB的技术参数摘要:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 80 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C): 28.6 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100 μs): 350 A
    - 最大功率耗散 (TC = 70 °C): 180 W
    - 电气特性:
    - 开态漏源电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V, ID = 20 A\): 7 mΩ
    - \(V{GS} = 6 V, ID = 15 A\): 7.5 mΩ
    - \(V{GS} = 4.5 V, ID = 10 A\): 9 mΩ
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3855 pF (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 1120 pF (VDS = 40 V)
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 376 pF (VDS = 40 V)
    - 热阻抗:
    - 最大结壳热阻 \(R{thJC}\): 0.85 °C/W
    - 最大结环境热阻 \(R{thJA}\): 15 °C/W

    产品特点和优势


    - 高效能: 低开态电阻和高击穿电压确保了低损耗和高效率。
    - 可靠性高: 经过100% Rg和UIS测试,保证其长期稳定运行。
    - 广泛适用: 可用于各种电源管理和转换场合,适应性强。

    应用案例和使用建议


    95T08GP-VB MOSFET在多个领域的应用非常广泛,例如:
    - 直流/交流逆变器: 适用于太阳能逆变器等系统,提高能量转换效率。
    - LED背光: 在平板显示中作为高效开关,降低能耗并延长灯具寿命。
    使用建议:
    - 选择合适的散热措施,以防止因温度过高导致的性能下降。
    - 确保在操作过程中不超过其绝对最大额定值,以避免损坏。

    兼容性和支持


    95T08GP-VB MOSFET可与多种电路板和电源管理系统兼容。制造商提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 长时间工作后温度过高。
    - 解决方案: 使用散热器或增加散热片来改善散热效果。
    - 问题: 操作电压超过额定值。
    - 解决方案: 确认工作电压不超过其绝对最大额定值,并检查电源稳定性。

    总结和推荐


    总体而言,95T08GP-VB是一款性能卓越、高效稳定的N沟道MOSFET。它具备高可靠性和广泛的适用性,适用于多种电源管理应用。我们强烈推荐使用该产品,尤其是在需要高效能和高可靠性解决方案的场合。如果您有任何疑问,可随时联系我们的客户服务热线:400-655-8788,获取更多技术支持。

95T08GP-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

95T08GP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

95T08GP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 95T08GP-VB 95T08GP-VB数据手册

95T08GP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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