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IPD60R950C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: IPD60R950C6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R950C6-VB

IPD60R950C6-VB概述

    IPD60R950C6 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD60R950C6 是一款由 VBsemi 公司生产的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 这种 MOSFET 主要应用于电源转换和开关电路,其特点是低导通电阻、高雪崩耐受能力和简单的驱动要求。适用于工业控制、电源供应器、马达驱动器及其它需要高效能开关的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 650 | V |
    | 门源阈值电压 \(V{GS(th)}\) | 2.0 - 4.0 | V |
    | 导通电阻 \(R{DS(on)}\) | 0.95 | Ω |
    | 最大总栅极电荷 \(Qg(max)\) | 15 | nC |
    | 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\) | 16 | A |
    | 最大结温 \(T{j,max}\) | 150 | °C |
    | 最大储存温度 \(T{stg,max}\) | -55 - +150 | °C |
    | 封装类型 | TO-220AB, TO-252, TO-251 |

    产品特点和优势


    1. 低门电荷 \(Qg\):这降低了驱动需求,使设计更加简单。
    2. 增强的门、雪崩和动态 \(dV/dt\) 耐久性:显著提高了可靠性。
    3. 全面的电容和雪崩电压电流特性:确保了产品的稳定性和可靠性。
    4. 符合RoHS指令:适用于绿色电子设备。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:在工业自动化设备中作为开关组件,降低能量损耗。
    - 电源供应器:利用其低导通电阻特性,提高电源效率。
    - 马达驱动器:作为高效能的开关组件,提升系统整体性能。
    使用建议:
    1. 确保适当的散热措施,如采用散热片,以避免高温导致的性能下降。
    2. 在高温环境下使用时,适当降低电流,避免过载。
    3. 使用逻辑电平器件时,应根据具体应用调整 \(V{GS}\) 的电压,例如 \(V{GS} = 5 \text{V}\)。

    兼容性和支持


    兼容性:本产品与标准TO-220AB、TO-252、TO-251封装兼容,易于集成到现有设计中。
    支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,客户可随时联系服务热线(400-655-8788)获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下电流不稳定 | 确保良好的散热措施,如加装散热片 |
    | 开关频率过高导致发热 | 适当减小电流或使用散热措施 |
    | 寿命短 | 检查电路设计,确保符合额定参数 |

    总结和推荐


    IPD60R950C6 N-Channel MOSFET 在许多应用中表现出色,特别是在需要高效能开关的场景中。其低导通电阻、增强的耐久性和简单的设计使得它在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效能和可靠性的电力电子应用中使用该产品。确保遵循正确的操作规范和热管理措施将有助于延长产品寿命并提高整体系统的稳定性。

IPD60R950C6-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R950C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R950C6-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R950C6-VB IPD60R950C6-VB数据手册

IPD60R950C6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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