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UTT30N05G-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: UTT30N05G-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N05G-TN3-R-VB

UTT30N05G-TN3-R-VB概述

    UTT30N05G-TN3-R 技术手册解读

    产品简介


    UTT30N05G-TN3-R 是一款高性能的 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET。其主要特点包括低导通电阻(rDS(on)),高工作温度范围(可达175°C)和紧凑的封装形式(TO-252)。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电动车辆控制系统以及各类工业自动化设备等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 60 V
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V, ID = 15 A 时:0.025 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V, ID = 10 A 时:0.030 Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - 在 TC = 25 °C 时:80 A
    - 在 TC = 100 °C 时:23 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 100 A
    - 工作环境温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻(RthJA): 18 - 22 °C/W
    - 热阻(RthJC): 3.2 - 4 °C/W

    产品特点和优势


    UTT30N05G-TN3-R 具备多项显著优势:
    - 低导通电阻:有效减少功耗,提高系统效率。
    - 高工作温度:确保在高温环境下仍能正常工作,适用于恶劣环境。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,增强耐久性和稳定性。
    - 紧凑封装:TO-252 封装设计使其易于安装和集成,节省空间。

    应用案例和使用建议


    UTT30N05G-TN3-R 广泛应用于各类电源管理系统,如逆变器、电机驱动器等。在具体应用中,建议根据系统的工作条件和散热需求选择合适的布局方式,以确保最佳性能和长期可靠性。例如,在高功率应用中,应合理增加散热片以降低工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品完全符合 RoHS 和无卤素标准,与多种设备和电路板兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决应用过程中可能遇到的各种问题。此外,用户可以通过访问官网了解更多产品详细信息和支持资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 导通电阻增加导致发热严重。
    - 解决方案: 检查工作环境温度,确保散热措施得当;调整电路布局,增加散热片。
    - 问题2: 连续漏极电流不足影响应用性能。
    - 解决方案: 重新评估应用需求,选用更高额定电流的产品;检查电路设计,确保电流匹配。

    总结和推荐


    综上所述,UTT30N05G-TN3-R 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel TrenchFET® 功率 MOSFET。其独特的技术特性和广泛的应用范围使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐在高功率应用中使用此产品,特别是那些对温度和可靠性要求较高的场合。

UTT30N05G-TN3-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N05G-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N05G-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N05G-TN3-R-VB UTT30N05G-TN3-R-VB数据手册

UTT30N05G-TN3-R-VB封装设计

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