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HFP730S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: HFP730S-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP730S-VB

HFP730S-VB概述

    HFP730S-VB N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HFP730S-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源转换和电机控制等领域。这款MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg),这有助于简化驱动要求,提升系统效率并降低功耗。它适用于多种高可靠性要求的应用场景。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):500 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):± 20 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.660 Ω @ 10 V
    - 总栅极电荷(Qg):81 nC
    - 栅源电荷(Qgs):20 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):36 nC
    - 开关时间
    - 开启延迟时间(td(on)):15 ns
    - 上升时间(tr):39 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):39 ns
    - 下降时间(tf):31 ns
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt):9.2 V/ns
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):560 mJ
    - 最大重复雪崩能量(EAR):25 mJ
    - 最大结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
    - 焊接温度(Peak Soldering Temperature):300 °C (10 秒)

    - 热阻
    - 最大结到环境热阻(RthJA):- 62 °C/W
    - 结到外壳(引脚)热阻(RthJC):- 0.50 °C/W

    产品特点和优势


    HFP730S-VB 的主要特点是:
    - 较低的栅极电荷(Qg):这使得驱动要求更加简单,进一步降低能耗。
    - 出色的耐用性:包括栅极、雪崩及动态dV/dt耐久性。
    - 全面的电容和雪崩电压特征:通过全面测试确保可靠性。
    - 符合RoHS指令:确保环保且无有害物质。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用:电源转换、电机驱动和开关电源等。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时考虑使用低漏电电感,以避免因寄生电感导致的过压现象。
    - 确保散热设计合理,以防止高温损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准TO-220封装的其他电子元器件完全兼容。
    - 厂商支持:提供详细的文档和技术支持,客户可以联系技术支持部门获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重怎么办?
    - 解决方法:检查散热设计,确保足够的散热片面积,增加散热风扇等措施。
    - 问题2:启动瞬间电流过大?
    - 解决方法:调整驱动电路的参数,增加软启动电路,以减小瞬时电流冲击。

    总结和推荐


    HFP730S-VB N-Channel Power MOSFET是一款非常优秀的MOSFET,其出色的耐久性和简洁的驱动要求使其成为电源转换和电机控制应用的理想选择。对于需要高可靠性和高效能的应用场合,我们强烈推荐使用此产品。建议客户在具体应用前,详细了解产品的电气特性和热管理要求,以获得最佳性能。

HFP730S-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFP730S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP730S-VB数据手册

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HFP730S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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