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J189-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J189-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J189-VB

J189-VB概述

    P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET 是一种高性能的场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子设备中。这种类型的MOSFET 主要用于负载开关(Load Switch)和笔记本适配器开关(Notebook Adaptor Switch)。其主要功能包括切换电源电压,调节电流,以及在各种电子设备中提供稳定的电源供应。由于其高效的性能和可靠性,这种MOSFET 广泛应用于计算机、通信设备和工业控制系统中。

    技术参数


    以下是P-Channel 30-V MOSFET 的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: 12 A
    - TC = 70 °C: 6.8 A
    - TA = 25 °C: 2.7 W
    - TA = 70 °C: 1.7 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20 mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C): 25 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): -1.0 V 至 -2.5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -1 μA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): -30 A
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -10 A: 0.033 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -8 A: 0.046 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 1350 pF
    - 输出电容 (Coss): 255 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 190 pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -10 A: 27 nC
    - VDS = -15 V, VGS = -4.5 V, ID = -10 A: 19 nC
    - 热阻
    - 最大结到环境的最大热阻 (RthJA): 38 °C/W (瞬态), 46 °C/W (稳态)
    - 最大结到引脚的最大热阻 (RthJF): 20 °C/W (稳态)

    产品特点和优势


    P-Channel 30-V MOSFET 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 环保无卤素设计:符合RoHS标准,对环境友好。
    - 高可靠性:所有样品都经过100% Rg 和UIS 测试。
    - 高效能:低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性,使其成为高效率开关应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    P-Channel 30-V MOSFET 主要应用于负载开关和笔记本适配器开关。例如,在笔记本电脑的电源管理系统中,该MOSFET 可以用来控制电源供应的通断,从而提高系统的稳定性和效率。建议在使用时:
    - 确保电路的设计能够满足其最大功率耗散的要求,以避免过热损坏。
    - 注意栅源电压的限制,以防止电压过高导致的损坏。

    兼容性和支持


    该产品符合TO-252封装标准,易于安装和使用。制造商提供了全面的技术支持,包括详尽的产品文档、技术支持和售后服务。对于需要进一步定制或技术支持的客户,可联系官方客服获取帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 在高频率开关时出现不稳定。
    - 解决方案: 确保栅极电阻 (Rg) 的设置正确,减小输入电容 (Ciss) 的影响。
    - 问题: 设备在高温环境下运行时表现不佳。
    - 解决方案: 考虑增加散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 30-V MOSFET 是一款高效可靠的电子元件,适合在多种应用中使用。其高可靠性、环保特性和出色的性能使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高性能、高可靠性的开关应用,强烈推荐使用此产品。

J189-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 26A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J189-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J189-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J189-VB J189-VB数据手册

J189-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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