处理中...

首页  >  产品百科  >  J325-VB

J325-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J325-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J325-VB

J325-VB概述

    # P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为一款 P-Channel 30-V(D-S)MOSFET,采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术。适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用场景。此 MOSFET 被设计为无卤素,且在制造过程中进行了100%的Rg测试和100%的UIS测试,确保了高可靠性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): -30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C: ID = -12 A
    - TC = 70 °C: ID = -10 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): -112 A
    - 持续源-漏二极管电流:
    - TC = 25 °C: IS = -4.1 A
    - TA = 25 °C: IS = -2.2 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): -20 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20 mJ
    - 最大功耗:
    - TC = 25 °C: PD = 25 W
    - TC = 70 °C: PD = 20 W
    - TA = 25 °C: PD = 2.7 W
    - TA = 70 °C: PD = 1.7 W
    - 工作结温和存储温度范围: TJ, Tstg = -55 to 150 °C
    额定电气参数
    - 静态
    - 漏源击穿电压 (VDS): -30 V
    - 漏源开启电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -10 A: 0.033 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -8 A: 0.046 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1350 pF
    - 输出电容 (Coss): 255 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 190 pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = -15 V, VGS = -10 V, ID = -10 A: 27 nC
    - VDS = -15 V, VGS = -4.5 V, ID = -10 A: 19 nC
    - 动态
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - VDD = -15 V, RL = 1.5 Ω, ID ≅ -10 A, VGEN = -10 V, Rg = 1 Ω: 13 ns
    - 上升时间 (tr): 12 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 40 ns
    - 下降时间 (tf): 9 ns

    产品特点和优势


    本产品的主要特点是采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术,具有以下显著优势:
    - 高可靠性: 100% Rg 测试和 100% UIS 测试保证了产品质量。
    - 低阻抗: 在不同栅源电压下的低 RDS(on),特别是在 -10 V 和 -4.5 V 下的优异表现。
    - 快速开关: 低延迟时间和上升/下降时间确保快速响应。
    - 无卤素: 环保材料,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关: 用于电源管理和控制,确保系统稳定运行。
    - 笔记本适配器开关: 高效能转换,减少能耗,提升设备续航能力。
    使用建议
    - 散热设计: 由于该 MOSFET 的最大功耗较高,建议在设计时考虑良好的散热措施。
    - 栅极驱动: 确保栅极驱动信号稳定,避免过压和欠压现象。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品适用于大多数标准 PCB 尺寸,能够与其他常见电子元器件和设备兼容。
    - 支持: 厂商提供技术支持和保修服务,可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 漏源电压超过额定值怎么办?
    - A: 请立即断开电源,检查并更换损坏的元器件。

    - Q: 发热异常怎么办?
    - A: 检查电路布局是否合理,确保良好的散热措施。如果仍然发热过高,建议联系技术支持。

    总结和推荐


    综上所述,这款 P-Channel 30-V MOSFET 具有出色的性能和可靠性,适用于多种应用场景。特别是其快速开关特性和低功耗使其成为电源管理的理想选择。对于需要高可靠性和高性能的应用,我们强烈推荐使用此款 MOSFET。

J325-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
Id-连续漏极电流 26A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J325-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J325-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J325-VB J325-VB数据手册

J325-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504