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4432M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 4432M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4432M-VB

4432M-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效的电源管理组件,适用于高侧同步整流操作。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,使其非常适合用于笔记本电脑CPU核心等高要求的应用场景。

    技术参数


    - 电压规格
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 漏源电流 (ID): 13 A (TC = 25 °C),9 A (TC = 70 °C)
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS): 20 A
    - 最大雪崩能量 (EAS): 21 mJ
    - 电流规格
    - 持续漏源电流 (ID): 13 A (TC = 25 °C),9 A (TC = 70 °C)
    - 单脉冲漏源电流 (IDM): 45 A
    - 源漏二极管电流 (IS): 3.7 A (TC = 25 °C)
    - 电阻规格
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 10 A: 0.008 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 9 A: 0.011 Ω
    - 门极电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A: 15 nC
    - VDS = 15 V, VGS = 5 V, ID = 10 A: 6.8 nC
    - 工作温度
    - 结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 具有非常低的导通电阻,这使其在高功率应用中能够显著减少能耗。
    - 快速开关速度: 高速开关性能使得这款MOSFET特别适合需要快速响应的应用。
    - 兼容性强: 该MOSFET采用标准的SO-8封装,易于集成到现有电路设计中。
    - 优化设计: 专门针对高侧同步整流操作进行优化,适用于多种高效率应用。
    - 严格测试: 100% Rg 和 100% UIS 测试确保产品质量可靠。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑CPU核心: 这款MOSFET可以用于笔记本电脑的CPU核心高侧开关,提高系统效率。
    - 其他高功率应用: 可用于电动汽车、通信设备和其他高功率应用场景。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高负载情况下。
    - 在设计电路时,注意寄生电容对开关性能的影响。
    - 根据具体应用需求选择合适的门极驱动电阻。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用标准的SO-8封装,易于与其他常见的电子元件和设备兼容。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程不稳定
    - 解决方案: 检查门极驱动电阻是否合适,适当增加或减少电阻值。

    - 问题: 温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 改善散热措施,例如增加散热片或使用散热膏。

    总结和推荐



    总结

    :
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 以其出色的性能、稳定的可靠性以及广泛的适用性成为市场上极具竞争力的产品。其低导通电阻和高速开关性能使其在多种高功率应用中表现出色。
    推荐:
    强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电源管理和高侧开关解决方案的设计工程师和系统集成商。

4432M-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4432M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4432M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4432M-VB 4432M-VB数据手册

4432M-VB封装设计

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