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IRFU13N15DPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: IRFU13N15DPBF-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFU13N15DPBF-VB

IRFU13N15DPBF-VB概述

    # IRFU13N15DPBF N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFU13N15DPBF 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的TrenchFET® 技术制造,专为高效开关电源设计。此产品具有高效率、低导通电阻和快速开关能力,适用于多种应用场合,如PWM控制电路、初级侧开关等。其175°C的结温允许在极端环境下稳定运行。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 25 | - | 17 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 60 | A |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 40 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.056 | 0.070 | - | Ω |
    | 静态输入电容 | Ciss | 2400 | - | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | 280 | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 180 | - | - | pF |

    产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET® 技术,有效降低导通电阻(RDS(on)),提升整体系统效率。
    - 高温稳定性:可承受高达175°C的结温,适合恶劣的工作环境。
    - PWM优化:专门针对脉宽调制(PWM)优化设计,适用于高频开关应用。
    - 全测阻抗测试:确保产品质量一致性,符合RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    IRFU13N15DPBF 广泛应用于各类开关电源及电机驱动电路中。例如,在服务器电源模块中作为主开关管使用时,可以显著提高能效比;在电动汽车充电桩中,则能够实现更稳定的电力传输。对于初次使用者来说,建议首先确认电路板设计是否满足散热需求,并严格按照额定条件使用以避免过载损坏。

    兼容性和支持


    IRFU13N15DPBF 与市场上主流控制器完全兼容,无需额外适配即可直接替换旧型号产品。同时,VBsemi 提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决在开发过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:接通后电流异常增大
    解决方法:检查是否存在外部干扰信号或焊接不良情况。
    2. 问题:长时间工作后出现发热现象
    解决方法:增加外部散热措施,如安装散热片或者改进PCB布局来改善空气流通。
    3. 问题:关断速度慢导致能耗增加
    解决方法:适当调整栅极驱动电路参数以加快切换速度。

    总结和推荐


    IRFU13N15DPBF凭借其出色的性能表现,在众多领域展现出了强大的竞争力。它不仅拥有优异的电气特性,而且通过严格的测试流程保证了产品的可靠性。因此,我们强烈推荐这款产品用于需要高性能、高可靠性的应用场景当中。如果您正在寻找一款既经济实惠又具备卓越品质的MOSFET元件,请考虑选择IRFU13N15DPBF!

IRFU13N15DPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFU13N15DPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFU13N15DPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFU13N15DPBF-VB IRFU13N15DPBF-VB数据手册

IRFU13N15DPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.0526
100+ ¥ 4.6783
500+ ¥ 4.3041
4000+ ¥ 4.1169
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型号 价格(含增值税)
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