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JCS12N60FT-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: JCS12N60FT-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS12N60FT-O-F-N-B-VB

JCS12N60FT-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
    这款N-Channel 650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)适用于各种高电压及高效率的应用场景。其主要功能是通过控制门极电压来导通或截止,从而实现电路的开关操作。这款产品在服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)等方面有着广泛的应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 25°C时,VGS=10V,典型值为4Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为43nC
    - 输入电容 (Ciss): 25°C时,典型值为4nC
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 45A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 80mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 3.6W/°C (线性降额因子)

    产品特点和优势


    这款N-Channel 650V Power MOSFET具备多项优势,包括:
    - 低栅极电荷 (Qg): 这降低了开关损耗,提高了整体效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少了开关时间,进一步提高效率。
    - 低通态电阻 (RDS(on)): 在导通状态下,电阻小,降低了功耗。
    - 低热阻 (RthJA): 提高了散热性能,延长了使用寿命。
    这些特性使得这款MOSFET在服务器电源、电信设备和其他高效率要求的场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源:在高负载和高效率需求下,该MOSFET能够稳定工作并减少能耗。
    - 荧光灯镇流器:用于调节荧光灯的工作电压和电流,保证其高效运行。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的功率耗散,建议在使用过程中加强散热措施,例如使用散热片或风扇。
    - 电路布局优化:减少引线的寄生电感,增加地平面,以减少寄生效应,提高效率和可靠性。

    兼容性和支持


    该产品适用于标准的TO-220封装,易于集成到现有的电路设计中。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,确保用户能够在遇到问题时获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题1:工作温度范围内的性能变化?
    解决方案:根据规范,该产品可在-55°C至+150°C范围内正常工作,确保其在极端环境下的稳定性。
    常见问题2:高温条件下是否会失效?
    解决方案:为了防止高温导致失效,应确保正确安装散热装置,并遵循散热建议。

    总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 650V Power MOSFET凭借其低通态电阻、低栅极电荷、低输入电容等特性,在高效率应用中表现出色。其广泛的温度范围和良好的散热性能使其成为服务器电源、电信设备、荧光灯镇流器等领域的重要选择。因此,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场合使用这款产品。

JCS12N60FT-O-F-N-B-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS12N60FT-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS12N60FT-O-F-N-B-VB JCS12N60FT-O-F-N-B-VB数据手册

JCS12N60FT-O-F-N-B-VB封装设计

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