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44N4LF6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: 44N4LF6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 44N4LF6-VB

44N4LF6-VB概述


    产品简介


    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET (型号:44N4LF6)
    产品类型:沟槽型功率MOSFET
    主要功能:用于开关电源和逆变电路中的电能转换
    应用领域:服务器电源管理、直流-直流转换、电源冗余保护(OR-ing)

    技术参数


    | 参数 | 值 | 备注 |
    |
    | 最大漏源电压 | 40 V
    | 持续漏极电流 | 90 A (TJ = 175°C)
    | 最大脉冲漏极电流 | 200 A
    | 单脉冲雪崩能量 | 94.8 mJ
    | 最大耗散功率 | 100 W (TC = 25°C)
    | 最高工作温度 | 175 °C
    | 热阻 | RthJA 32 °C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 44N4LF6 MOSFET 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有以下几个显著特点:
    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽型结构,提升器件性能和可靠性。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个器件均经过严格的栅极电阻和雪崩测试。
    3. RoHS 合规:完全符合欧盟 RoHS 指令,适用于环保要求高的应用场合。
    4. 低导通电阻:在标准工作条件下,RDS(on) 达到 0.013 Ω,有助于提高效率并减少损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:该产品广泛应用于数据中心服务器、通信基站及工业自动化设备中的电源管理模块,尤其是在需要高可靠性和高效能的应用环境中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热措施,以防止过热损坏器件。
    - 由于器件的工作温度范围较广,选择合适的封装材料有助于延长器件寿命。
    - 在关键应用中,如服务器电源,可考虑冗余设计以提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:44N4LF6 MOSFET 与市面上大多数常用电源管理 IC 兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查接线是否正确、接触是否良好;检查栅极驱动电压是否足够。|
    | 高温导致性能下降 | 确保良好的散热措施,检查散热片是否接触良好。 |
    | 雪崩能量不足 | 检查电路设计,确保电流和电压在器件允许范围内。 |

    总结和推荐


    N-Channel 44N4LF6 MOSFET 在数据中心、服务器和其他高性能电力电子应用中表现出色。其低导通电阻、高可靠性以及良好的热管理能力,使其成为市场上值得信赖的选择。尽管价格可能略高于部分同类产品,但其卓越的性能和较长的使用寿命使得它在长期应用中更具成本效益。
    推荐:强烈推荐用于高可靠性要求和高性能需求的场合,特别是对环保有严格要求的市场。

44N4LF6-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

44N4LF6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

44N4LF6-VB数据手册

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44N4LF6-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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