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IRF9Z10-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-40A,RDS(ON),62mΩ@10V,74mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRF9Z10-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9Z10-VB

IRF9Z10-VB概述

    IRF9Z10-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF9Z10-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有60V的漏源电压耐受能力(VDS)。它主要应用于负载开关领域,适用于需要高可靠性和低损耗的应用场景。由于其独特的TrenchFET® 技术,IRF9Z10-VB在高电流、高频率下的表现尤为出色,广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压耐受能力(VDS):60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TJ = 175°C):
    - TC = 25°C:40A
    - TC = 100°C:30A
    - 脉冲漏极电流(IDM):90A
    - 继续源电流(二极管导通):30A
    - 单脉冲雪崩能量(L = 0.1mH):7.2mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):60W
    - 热阻(稳态):62-75°C/W
    - 静态参数
    - 击穿电压(V(BR)DSS):60V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):-1.0V 至 3.0V
    - 栅体泄漏(IGSS):±100nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):-1A
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):1300pF
    - 输出电容(Coss):120pF
    - 反向传输电容(Crss):90pF
    - 总栅电荷(Qg):13nC

    3. 产品特点和优势


    IRF9Z10-VB的主要优势在于其采用了TrenchFET® 技术,提供了优异的开关性能和高可靠性。其关键特点包括:
    - 高效能:在高电流和高频率下表现出色,适用于高性能电源管理和驱动应用。
    - 高可靠性:通过100%的UIS测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 低损耗:具有较低的导通电阻(RDS(on)),减少功率损耗,提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:IRF9Z10-VB在负载开关应用中表现出色,适用于各种直流电路中作为开关元件。
    - 电源管理:常用于电源转换电路中,提供快速响应和高效率的开关功能。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,确保良好的热稳定性。
    - 根据不同的应用需求,合理设置栅极电压,以达到最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    IRF9Z10-VB 与其他电子元件的兼容性良好,适用于多种标准电路板布局。VBsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,包括在线文档、样品供应和技术咨询,确保客户能够充分利用产品的各项功能。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方法:增加散热片或使用散热风扇,保证良好的热管理。
    - 问题:栅极驱动电压不当导致过热。
    - 解决方法:检查并调整栅极驱动电压至合适范围。

    7. 总结和推荐


    IRF9Z10-VB 是一款高性价比的P沟道MOSFET,以其卓越的性能和可靠性在多个应用领域表现出色。无论是从技术参数还是应用领域来看,IRF9Z10-VB 都是一款值得推荐的产品。其高效的开关性能和良好的散热能力使其成为负载开关和电源管理的理想选择。对于需要高性能、高可靠性的场合,强烈推荐使用IRF9Z10-VB。

IRF9Z10-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 40A
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@10V,74mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF9Z10-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9Z10-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9Z10-VB IRF9Z10-VB数据手册

IRF9Z10-VB封装设计

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