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8N50HL-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 8N50HL-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N50HL-TF3-T-VB

8N50HL-TF3-T-VB概述

    8N50HL-TF3-T-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    8N50HL-TF3-T-VB 是一款 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET,广泛应用于多种电源管理系统和照明设备中。这种高性能 MOSFET 以其低导通电阻(Ron)、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg)等特点著称,特别适用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明等领域。

    技术参数


    以下是 8N50HL-TF3-T-VB 的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):25°C 下为 43nΩ(典型值)
    - 最大栅极电荷 (Qg):43nC
    - 最大栅源电荷 (Qgs):5nC
    - 最大栅漏电荷 (Qgd):22nC
    - 最大连续漏电流 (ID):25°C 时为 12A;100°C 时为 9.4A
    - 脉冲漏电流 (IDM):45A
    - 雪崩耐量 (EAS):mJ 级
    - 最大功耗 (PD):取决于结温
    - 热阻 (RthJA):最大值为 60°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    8N50HL-TF3-T-VB 具备以下特点和优势:
    - 低栅极电荷 (Qg) 和 低输入电容 (Ciss),可显著降低开关损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg),有助于提高能效。
    - 低导通电阻 (RDS(on)),在高电压下仍保持较低的损耗。
    - 卓越的雪崩耐量 (EAS),确保在极端条件下可靠运行。
    - 宽工作温度范围,适用于严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:可以用于高效率的电源管理模块。
    - 开关模式电源 (SMPS):在高频应用中表现出色,能够实现高效转换。
    - 功率因数校正 (PFC):适用于需要高功率因数的系统。
    - 高强度放电灯 (HID) 和荧光灯照明:适合要求高电流和快速响应的应用。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,要注意 PCB 布局以减少寄生电感。
    - 确保散热设计充分,以防止过热。

    兼容性和支持


    8N50HL-TF3-T-VB 采用 TO-220 Fullpak 封装,与市面上大多数 PCB 设计兼容。VBsemi 提供详细的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),确保客户能够及时获取所需的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行后温度过高
    解决方案:检查散热系统,确保良好的热管理设计。
    - 问题:高频应用中电磁干扰严重
    解决方案:优化 PCB 布局,减小寄生电感,使用屏蔽材料。
    - 问题:在大电流环境下启动困难
    解决方案:确保合适的栅极驱动电压和电流,调整驱动电路。

    总结和推荐


    8N50HL-TF3-T-VB 是一款非常出色的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于多种高压应用。其低损耗、高可靠性使其成为服务器、电信设备、LED 照明等领域的理想选择。强烈推荐使用此产品以获得最佳性能和能效。
    感谢您阅读本文。如果您有任何进一步的问题或需要更多技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

8N50HL-TF3-T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

8N50HL-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N50HL-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N50HL-TF3-T-VB 8N50HL-TF3-T-VB数据手册

8N50HL-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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