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7N60L-TF2-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 7N60L-TF2-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 7N60L-TF2-T-VB

7N60L-TF2-T-VB概述

    # 产品概述

    产品简介


    7N60L-TF2-T-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高功率应用。其主要功能是作为电源开关,帮助实现高效能的电源转换和管理。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),使其在开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)及工业照明系统等应用中表现出色。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 节点温度 (TJ) 下的最大耐压: 650 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 (ID): 25 °C时为 178 A,100 °C时为 156 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 87 mJ
    - 电阻参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0 Ω (VGS = 10 V)
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 1900 pF
    - 输出电容 (Coss): 240 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 57 pF
    - 其他参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 10 nC (VGS = 10 V)
    - 栅源电荷 (Qgs): 4 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4 nC
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 63 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) = 4.0 Ω(VGS = 10 V),降低功耗并提高效率。
    - 低栅极电荷: Qg = 10 nC(VGS = 10 V),减少开关损耗。
    - 低输入电容: Ciss = 1900 pF,减少充电时间。
    - 高温性能: 最大结温 (TJ) 达 150 °C,适用于高温环境。
    - 高雪崩能力: EAS = 87 mJ,增强可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:利用其高耐压和高效能的特点,在高电流和高频率的应用环境中表现优异。
    - 工业照明:特别适合于高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统,因其具有较低的导通电阻和栅极电荷。
    使用建议
    - 在高电流环境下使用时,确保散热良好,避免温度过高导致器件损坏。
    - 在设计电路时,注意引线的布局和接地平面的设计,以减少杂散电感,提升整体性能。
    - 鉴于高栅极电荷带来的影响,建议采用软开关技术,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 7N60L-TF2-T-VB 支持广泛的电源应用,并且与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容。
    - 厂商提供详尽的技术支持和客户服务热线(400-655-8788),以确保用户能够得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 增加散热措施,优化散热设计 |
    | 输出电流不稳定 | 检查电路连接,确保焊接质量 |
    | 电磁干扰 | 优化电路布局,添加屏蔽措施 |

    总结和推荐


    7N60L-TF2-T-VB 功率 MOSFET 展现出了卓越的性能和可靠性。其低导通电阻、低栅极电荷和高温耐受能力使其成为高功率应用的理想选择。特别是针对开关模式电源和工业照明系统,这款器件表现尤为出色。结合厂商提供的技术支持和服务,强烈推荐用户在相关应用中选用此款产品。

7N60L-TF2-T-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

7N60L-TF2-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

7N60L-TF2-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 7N60L-TF2-T-VB 7N60L-TF2-T-VB数据手册

7N60L-TF2-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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