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K1761-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K1761-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1761-VB

K1761-VB概述

    K1761-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K1761-VB 是一种高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率的电源转换应用设计。它具备动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关能力、易于并联以及简单的驱动要求等特性。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、电池充电器和各类开关模式电源设备中。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 250 | V |
    | 通态电阻 (RDS(on)) | 0.19 | Ω |
    | 最大连续漏极电流 (ID) | 14 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 125 | W |
    | 反向恢复峰值电压 (dV/dt) | 4.8 | V/ns |
    | 最大结温 (TJ) | 150 | °C |
    | 最大储存温度 (Tstg) | -55 到 +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 高动态 dV/dt 额定值:确保在高频开关应用中的稳定性能。
    - 重复雪崩额定值:保证了在瞬态过压情况下也能可靠工作。
    - 快速开关:适用于需要快速响应的应用,如电机控制。
    - 易于并联:简化了设计和制造过程,提高了系统可靠性。
    - 简单的驱动要求:降低了对驱动电路的要求,简化了系统设计。

    应用案例和使用建议


    K1761-VB MOSFET 在各种电力转换设备中有着广泛的应用。例如,在一个高频逆变器应用中,K1761-VB 的快速开关能力和低通态电阻使其能够在保持高效的同时处理高功率输出。此外,其出色的重复雪崩额定值使得它在存在瞬态过压的环境中表现出色。
    使用建议:
    - 为了充分发挥其性能,建议使用低电感的 PCB 布局,以减少寄生效应。
    - 考虑到其高 dV/dt 特性,应确保驱动电路能够有效地抑制噪声。
    - 为了提高系统的稳定性,可以考虑采用适当的散热措施,如散热片或热管。

    兼容性和支持


    K1761-VB 与常见的电源管理和控制设备具有良好的兼容性,易于集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持,包括应用指南、设计工具和故障排除资源。客户可以通过服务热线 400-655-8788 获得进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:K1761-VB 的最大工作温度是多少?
    解答:最大工作温度为 150°C。建议在极端环境下使用时进行适当的散热措施。
    2. 问题:如何测量 K1761-VB 的总门电荷?
    解答:使用标准测试电路测量总门电荷。参考手册中的图 13b 获取详细的测试步骤。
    3. 问题:K1761-VB 的最大瞬态热阻抗是多少?
    解答:最大瞬态热阻抗为 62°C/W(RthJA)。确保使用适当的散热措施以避免热失控。

    总结和推荐


    综上所述,K1761-VB 是一款功能强大且性能稳定的 N 沟道功率 MOSFET。它的高动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值和快速开关特性使其成为电力转换应用的理想选择。无论是新设计还是替换现有组件,K1761-VB 都是一个值得推荐的选择。对于希望提高系统性能和可靠性的工程师来说,K1761-VB 绝对是一个不错的选择。

K1761-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Vds-漏源极击穿电压 250V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1761-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1761-VB数据手册

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K1761-VB封装设计

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