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J193-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-5A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: J193-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J193-VB

J193-VB概述

    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的功率电子元件,适用于各种直流到直流电源转换器和照明应用中的高侧开关。此款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有优异的导电性和可靠性。它特别适用于那些需要高电压和高电流处理能力的应用场景。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150°C): -3.0 A (TC = 25°C)

    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS): -100 V (ID = -250 μA)
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): -2 ~ -4 V (ID = -250 μA)
    - 零门源电压漏极电流 (IDSS): -1 μA (VDS = -100 V, VGS = 0 V)
    - 源漏二极管电流 (IS): -4.9 A (TC = 25°C)

    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 819 pF (VDS = -35 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 51 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 17.5 nC (VDS = -50 V, VGS = -10 V, ID = -3 A)
    - 上升时间 (tr): 18 ns ~ 32 ns (VDD = -50 V, RL = 25 Ω, ID ≈ -3 A, VGEN = -10 V, Rg = 1 Ω)
    - 工作环境
    - 结温及存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 °C ~ 150 °C

    3. 产品特点和优势


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET的主要特点是采用了先进的TrenchFET®技术,使其在高频应用中表现出色。此外,这款MOSFET经过100% Rg和UIS测试,确保了其高可靠性和低故障率。这些特性使其成为电源管理、电机控制和汽车电子应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 中间直流/直流电源转换器中的有源钳位电路
    - 照明应用中的H桥高侧开关
    使用建议:
    在设计时,考虑采用适当的散热措施以保持MOSFET的结温在安全范围内。建议在高温环境中使用散热片或散热器,确保其运行在正常工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    该产品设计用于表面安装,并可在1" x 1" FR4板上安装。厂商提供技术支持,确保产品能够与其他标准电子元件兼容,并满足用户的特定需求。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 产品安装时发热过高。
    2. 漏极电流不稳定。
    解决方案:
    1. 使用散热片或散热器,以提高散热效率。
    2. 检查电路连接,确保正确的驱动电压和门极电阻。

    7. 总结和推荐


    综上所述,P-Channel 100-V (D-S) MOSFET是一款高效可靠的功率电子元件,适用于多种工业应用。其独特的TrenchFET®技术保证了其在高频率应用中的卓越表现。对于需要高电压和高电流处理能力的系统,推荐选用此款MOSFET。

J193-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J193-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J193-VB数据手册

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J193-VB封装设计

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