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UPA2736GR-E1-AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-15A,RDS(ON),5mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UPA2736GR-E1-AT-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA2736GR-E1-AT-VB

UPA2736GR-E1-AT-VB概述

    # P-Channel 30V (D-S) MOSFET 技术概述

    产品简介


    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电荷场效应晶体管(FET),采用第四代 TrenchFET® 技术,专门设计用于高功率密度的电池管理和电源转换应用。其独特的架构设计使该器件在高电压和高电流下表现出色,特别适合在电池管理、适配器开关及负载开关等应用场景中使用。
    主要功能
    - 高效开关性能
    - 支持高功率密度设计
    - 适用于高可靠性要求的应用
    应用领域
    - 移动设备中的电池管理
    - 适配器和充电器开关
    - 负载开关
    - 其他高功率密度场景

    技术参数


    以下为产品的关键技术规格,提供了详细的电气特性和工作条件:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | -30 - | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.0050 | 0.0080 | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | 27 84 | nC |
    | 漏极连续电流 | ID -18 | - | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55°C 150°C | °C |
    其他重要参数如热阻抗(RthJA 和 RthJC)也对器件的散热性能提供了重要的参考。

    产品特点和优势


    这款 P-Channel MOSFET 的核心优势在于其高效的功率处理能力和出色的耐久性:
    - 高功率密度:通过优化的设计实现了更高的电流密度,满足紧凑型设计需求。
    - 耐用性测试:100% 阻抗测试和 UIS 测试确保了产品的长期稳定性。
    - 宽广的工作温度范围:从 -55°C 到 150°C,适合苛刻环境下的应用。
    这些特点使其成为电池管理系统的理想选择,尤其是在需要高效率和高可靠性的场景中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 移动设备电池管理:利用其低 RDS(on) 特性来减少能耗并延长设备使用寿命。
    2. 适配器和充电器开关:由于其快速开关速度和高电流承载能力,非常适合此类高速切换需求。
    使用建议
    - 在设计时考虑器件的热管理策略以避免过热。
    - 根据具体应用场景调整驱动电路,确保最佳性能表现。

    兼容性和支持


    该产品支持主流 PCB 尺寸标准,且提供全面的技术文档和支持服务。对于复杂系统集成,建议与制造商联系获取专业指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机后出现异常发热 | 检查散热片安装是否正确,必要时增大散热面积 |
    | 输出不稳定 | 确认输入电压符合规格,检查连接线路 |

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一款极具竞争力的产品,在高功率密度需求的场景中展现了卓越的表现力。如果您正在寻找一款能够应对严苛条件的高效能器件,那么这款产品无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐用于对性能要求较高的应用场合。

UPA2736GR-E1-AT-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,8mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2736GR-E1-AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA2736GR-E1-AT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA2736GR-E1-AT-VB UPA2736GR-E1-AT-VB数据手册

UPA2736GR-E1-AT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
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