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KMB2D0N60SA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n产品适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。\nN沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: KMB2D0N60SA-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KMB2D0N60SA-VB

KMB2D0N60SA-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种用于多种电力控制应用的关键电子元件。这种MOSFET属于N沟道器件,适用于电池开关、直流/直流转换器等场景。它采用TrenchFET®技术制造,具备低导通电阻(RDS(on)),可有效降低功率损耗。这些特性使其成为高效能电力转换的理想选择。

    技术参数


    - 最大电压 (VDS):60V
    - 连续漏极电流 (ID):4.0A @ 25°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12A
    - 最大单次脉冲雪崩能量 (EAS):1.8mJ
    - 最高功率耗散 (PD):1.66W @ 25°C
    - 结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):90°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):0.075Ω(VGS = 10V时)
    2. 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试,确保产品质量
    3. 环保设计:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素
    4. 快速响应:低门电荷(Qg = 2.1nC),适合高频应用

    应用案例和使用建议


    应用场景:在电池开关和DC/DC转换器中,这款MOSFET可以显著提高系统的效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在电池开关应用中,选择合适的栅极电阻以优化开关速度和减少功耗。
    - 在DC/DC转换器中,注意散热设计以保持正常工作温度。

    兼容性和支持


    此MOSFET可以与其他标准封装的SOT-23元件兼容,适用于各种电路板设计。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括在线文档、样品申请和技术咨询服务,以确保客户能够充分利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定合适的工作温度范围?
    答:参照产品手册中的温度范围(-55°C至+150°C),并根据具体应用进行调整。
    2. 问:如何处理过载情况下的功率耗散问题?
    答:在系统设计时,考虑增加散热装置以降低温度,从而防止因过载导致的损坏。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 60-V MOSFET凭借其高效的电力转换能力和高可靠性,在多种应用场景中表现出色。其环保的设计和优越的电气特性使其成为市场上非常具有竞争力的产品。因此,强烈推荐这一产品给需要高性能电力控制解决方案的应用场合。

KMB2D0N60SA-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@10V,96mΩ@4.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KMB2D0N60SA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KMB2D0N60SA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KMB2D0N60SA-VB KMB2D0N60SA-VB数据手册

KMB2D0N60SA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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交货地:
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