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IPB11N03LAG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IPB11N03LAG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB11N03LAG-VB

IPB11N03LAG-VB概述

    # IPB11N03LA G-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:IPB11N03LA G-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TrenchFET®技术,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | ≤30 | V |
    | 最大栅极漏电流(IGSS) | ±100 | nA |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 1.0~3.0 | V |
    | 静态导通电阻(RDS(on)) | 0.012@10V | Ω |
    | 漏极连续电流(ID) | ≤90@25℃ | A |
    | 转移电容(Crss) | ≤170 | pF |
    | 最大耗散功率(PD) | ≤120@25℃ | W |
    | 热阻抗(RthJA) | 32~40 | °C/W |
    | 环境温度范围(Tstg) | -55~175 | °C |

    产品特点和优势


    IPB11N03LA G-VB 的关键优势在于其采用了TrenchFET®技术,具有出色的热稳定性和低导通电阻,确保了高可靠性。此外,100%的Rg和UIS测试确保了其高安全性,满足RoHS环保要求。这一系列的特点使得该MOSFET非常适合用于服务器和电源管理等高可靠性需求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种应用场景,如服务器电源管理和OR-ing电路。对于服务器电源管理应用,推荐使用散热设计以保持良好的工作状态。在OR-ing电路中,建议进行适当的电流检测和保护措施,以避免过流情况发生。

    兼容性和支持


    IPB11N03LA G-VB 可以方便地安装在标准的D2PAK封装上,确保与其他常见的电路板设计兼容。VBsemi提供详尽的技术支持,包括技术文档、常见问题解答和客户咨询,帮助用户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用散热片或改善散热条件 |
    | 导通电阻过高 | 确保正确的栅极电压 |
    | 震荡波形 | 添加缓冲电路 |

    总结和推荐


    总体而言,IPB11N03LA G-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合用于服务器电源管理和各种需要高可靠性应用的场景。其卓越的导通电阻和稳定的热特性使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐使用此产品,特别是在需要严格控制质量和性能的应用场合。

IPB11N03LAG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB11N03LAG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB11N03LAG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB11N03LAG-VB IPB11N03LAG-VB数据手册

IPB11N03LAG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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