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UPA1931TE-T1-AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1931TE-T1-AT-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1931TE-T1-AT-VB

UPA1931TE-T1-AT-VB概述


    产品简介


    基本介绍
    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款采用先进TrenchFET®技术设计的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它专为低导通电阻和高效率而优化,适合用于负载开关等多种应用场景。该产品完全符合无卤素环保标准(IEC 61249-2-21),是工业和消费电子领域的理想选择。
    主要功能
    - 支持高达30V的漏源电压(VDS)
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),最小值仅为0.049Ω(在VGS=-10V时)
    - 具备快速开关能力和低功耗特性
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 电机驱动控制
    - 稳压电路

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) -30 | V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) -4.8 A |
    | 门限电压(VGS(th)) | -0.5 | 2.0 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) 0.049 Ω |
    | 门电荷(Qg) | 5.1 | 8 nC |
    | 额定工作温度范围(TJ) | -55 150 | °C |
    | 最大结温至环境热阻(RthJA) | 55 | 62.5 °C/W |

    产品特点和优势


    1. 卓越的导通性能:极低的RDS(on)值使能耗显著降低,提升系统整体能效。
    2. 快速开关能力:门电荷低且具备优异的动态特性,能够满足高速应用需求。
    3. 环保设计:采用无卤素材料制造,满足全球环保法规要求。
    4. 稳定性高:在广泛的温度范围内保持稳定性能,适合严苛的工作环境。
    5. 紧凑封装:TSOP-6封装设计,占用空间小,便于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:作为高边开关,用于电池管理系统中,实现高效能量管理。
    - 电机驱动:适用于小功率直流电机,确保精确的速度控制和高效的能量转换。
    使用建议
    - 在高温环境下运行时,建议通过优化PCB布局和增加散热措施来改善热管理。
    - 配合其他元件使用时,需注意信号完整性,避免高频干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品可与其他主流品牌的MOSFET无缝替换,无需额外电路改动。
    - 支持服务:制造商提供详尽的技术文档和支持团队,随时解答客户疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 检查门极驱动电路,增加驱动能力 |
    | 热管理不佳导致过热 | 增加散热片或优化PCB布线 |
    | 高频噪声干扰 | 添加滤波电容,改善EMI性能 |

    总结和推荐


    综合评估:UPA1931TE-T1-AT是一款高性能、低功耗的P通道MOSFET,以其出色的导通电阻、快速响应能力和环保特性,在众多应用中表现出色。其紧凑的TSOP-6封装使其非常适合空间受限的设计需求。
    推荐使用:对于需要高效能和环保解决方案的负载开关和电机驱动应用,这款产品无疑是理想选择。无论是在工业自动化还是消费电子领域,其稳定性和可靠性都值得信赖。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

UPA1931TE-T1-AT-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1931TE-T1-AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1931TE-T1-AT-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1931TE-T1-AT-VB UPA1931TE-T1-AT-VB数据手册

UPA1931TE-T1-AT-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
库存: 400000
起订量: 35 增量: 3000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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