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3N50L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 3N50L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N50L-TF3-T-VB

3N50L-TF3-T-VB概述


    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) 功率MOSFET 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种高电压电力转换和控制应用。这款MOSFET 的关键特性包括低栅极电荷(Qg)和改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性。这些特性使得它在驱动电路设计方面具有简单性和高效性。此外,该产品完全符合RoHS指令,确保环保和安全性。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 650 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10 V时为2.5 Ω
    - 总栅极电荷(Qg(max)): 48 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 19 nC
    - 最大脉冲电流(IDM): 18 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 325 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 4 A
    - 重复雪崩能量(EAR): 6 mJ
    - 最大耗散功率(PD): 30 W
    - 雪崩电压(VDS): 650 V
    - 零门电压漏电流(IDSS): 25 μA
    - 前向跨导(gfs): 3.9 S
    - 有效输出电容(Coss eff.): 84 pF
    - 栅极充电测试电路中的栅极充电(Qg): 最大值为48 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 19 nC

    产品特点和优势


    N-Channel 650V (D-S) 功率MOSFET 具有多项显著的技术优势。首先,它的低栅极电荷Qg简化了驱动要求,使电路设计更加简便。其次,该MOSFET 具备优秀的耐雪崩能力,确保在高压和高功率应用中的稳定性和可靠性。此外,该产品完全符合RoHS标准,进一步提升了环保属性。通过详细的热阻抗测试和耐久性测试,保证了其在各种复杂工况下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET 广泛应用于电机控制、电源管理、工业自动化等领域。例如,在电机控制系统中,它可以作为高效的开关器件来调节电机转速和方向。在电源管理系统中,它可以用于DC-DC转换器,提高能效和稳定性。对于系统设计师而言,建议在设计中充分考虑散热问题,采用合适的散热措施以确保MOSFET 长期稳定工作。同时,选择合适的工作参数和负载条件,可以更好地发挥其性能。

    兼容性和支持


    该产品与市场上主流的电源管理和控制设备兼容,适配广泛。制造商提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、专业培训和技术咨询服务,帮助客户快速上手并充分利用产品的各项功能。如有需要,还可提供定制化的技术支持方案。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围
    - 解决方案:该MOSFET 的工作温度范围为-55°C至+150°C,确保其在极端环境条件下仍能稳定工作。使用过程中应注意环境温度,并采取适当的散热措施。

    2. 问题:驱动电压
    - 解决方案:建议使用10 V的驱动电压以达到最佳性能。根据不同的应用场景,可调整栅极电阻值以匹配特定的驱动条件。

    3. 问题:安装扭矩
    - 解决方案:安装过程中应严格遵循制造商的安装扭矩要求,确保机械连接的稳固性和可靠性。如不熟悉安装步骤,建议参考详细的技术手册或寻求专业的安装指导。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 650V (D-S) 功率MOSFET 是一款高度可靠的电子元器件,具备优良的性能和广泛的适用性。其独特的技术优势使其成为高电压电力转换和控制领域的理想选择。无论是电机控制还是电源管理,这款MOSFET 都能提供出色的性能和效率。因此,强烈推荐在相关应用中采用此产品。

3N50L-TF3-T-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

3N50L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N50L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N50L-TF3-T-VB 3N50L-TF3-T-VB数据手册

3N50L-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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