处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLML6344GTRPBF-VB

IRLML6344GTRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: IRLML6344GTRPBF-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML6344GTRPBF-VB

IRLML6344GTRPBF-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET IRLML6344GTRPBF 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:IRLML6344GTRPBF 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于TrenchFET® Power MOSFET系列,具有低导通电阻和高效能。
    主要功能:
    - 低导通电阻:最大值为0.030Ω(在VGS=10V时)
    - 高电流能力:连续漏极电流最高可达6.5A(在TJ=150°C时)
    - 快速开关性能:总栅极电荷为4.5nC(典型值)
    应用领域:
    - DC/DC转换器
    - 其他电源管理电路

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| 0.7 | 2.0 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on)| 0.030| 0.033 Ω |
    | 最大漏极电流 | ID 6.5 | 1.4 | A |
    | 漏源体二极管反向恢复时间 | trr | 10 20 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合RoHS标准及IEC 61249-2-21定义,无卤素。
    - 高可靠性:100% Rg测试确保产品质量。
    - 快速开关性能:出色的动态特性和低栅极电荷,提高整体效率。
    - 低导通电阻:优异的静态特性,适合大电流应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器:在转换器中作为开关元件,能够有效降低损耗并提升效率。
    - 电源管理电路:用于调节电压和电流的场合,如笔记本电脑、手机充电器等。
    使用建议:
    - 确保正确的焊接温度不超过260°C以避免损坏。
    - 在高温环境下使用时,应适当降低电流以防止过热。
    - 使用适当的散热设计以保证长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - IRLML6344GTRPBF 可与其他常用的SOT-23封装的电子元器件兼容。
    - 可以直接替换现有方案中的其他型号,无需更改设计。
    支持和服务:
    - 提供详尽的技术文档和设计指南。
    - 客户服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 检查电路设计,增加栅极电阻Rg |
    | 热阻过大 | 加装散热片或改进散热设计 |
    | 过流保护失效 | 确认负载合理,增加外部保护电路 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRLML6344GTRPBF N-Channel MOSFET 在多个方面表现卓越,特别是在低导通电阻和高开关频率方面具有显著优势。它非常适合用于DC/DC转换器和其他需要高效电源管理的应用场景。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐将 IRLML6344GTRPBF 用于各种需要高性能MOSFET的项目中。如果您正在寻找可靠且高效的电源管理解决方案,这款产品将是您的理想选择。

IRLML6344GTRPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLML6344GTRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML6344GTRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLML6344GTRPBF-VB IRLML6344GTRPBF-VB数据手册

IRLML6344GTRPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0