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IRFS52N15DTRLPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,128A,RDS(ON),7mΩ@10V,8.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRFS52N15DTRLPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS52N15DTRLPBF-VB

IRFS52N15DTRLPBF-VB概述


    产品简介


    N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
    这款电子元器件是VBsemi公司推出的N沟道150伏特(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了ThunderFET®技术,具备卓越的性能和可靠性。它适用于广泛的电源转换应用,如不间断电源(UPS)、交流/直流开关电源(AC/DC SMPS)、同步整流、直流/直流变换器、电机驱动开关、直流/交流逆变器、太阳能微型逆变器、Class D音频放大器以及电池管理系统等。该产品在高温环境下表现出色,最高可承受175°C的结温。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 150 V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (TC=25°C) 128 A |
    | 漏极雪崩电流 (IAS) 60 | A |
    | 单次雪崩能量 (EAS) 180 | mJ |
    | 最大耗散功率 (TC=25°C) 375 W |
    | 热阻 (RthJA) 40 °C/W |
    其他技术参数包括:
    - 静态参数
    - 动态参数
    - 阈值电压(VGS(th)) 2 - 5 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS) - - 1 μA
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)) 90 - - A
    - 开启状态电阻 (RDS(on)) 0.0075 Ω(VGS=10V时)
    - 转导电容(Ciss) 3425 pF

    产品特点和优势


    产品特点
    - 采用ThunderFET®技术,具备高性能和高可靠性。
    - 最高可承受175°C的结温,适应严苛环境。
    - 完成100% Rg和UIS测试,确保质量和一致性。
    产品优势
    - 在高温下表现稳定,尤其适合工业控制和汽车电子应用。
    - 极低的导通电阻,确保高效能量传输和减少发热。
    - 多功能性,适用于多种电力系统设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 不间断电源(UPS): 在需要连续供电的应用中,如服务器机房,该MOSFET可确保系统的高效运行。
    2. 太阳能微型逆变器: 用于将太阳能转化为电力,高效且稳定的能源转换对提升系统效率至关重要。
    3. 电机驱动开关: 在电机控制系统中,提供精确而可靠的控制信号。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热问题,以避免过热损坏。
    - 应用在同步整流电路时,应关注驱动电压和频率,确保MOSFET能保持良好的工作效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他电子元器件及标准设备高度兼容,适用于各种主流电路设计。
    - 支持:厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,客户可以随时联系技术客服获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 加强散热措施,如增加散热片或使用水冷系统。 |
    | 开关频率过低 | 检查驱动电路,确保足够的驱动电压和频率。 |
    | 系统效率低下 | 检查MOSFET的接线和安装,确保没有接触不良。 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高效稳定,性能卓越,适用于多种应用环境。
    - 可承受极高温度,提高了在极端条件下的可靠性。
    - 不足:
    - 相对较高的单价,但性能优异值得投资。
    推荐使用
    - 强烈推荐用于需要高性能和可靠性的电力系统中。无论是工业控制还是消费电子产品,这款MOSFET都能提供出色的性能保障。
    以上内容涵盖了N-Channel 150 V (D-S) MOSFET的技术手册关键信息,以及对其特点、应用、兼容性及支持等方面的详细分析,旨在帮助用户更好地了解并应用此款产品。

IRFS52N15DTRLPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 128A
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,8.4mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS52N15DTRLPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS52N15DTRLPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS52N15DTRLPBF-VB IRFS52N15DTRLPBF-VB数据手册

IRFS52N15DTRLPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.9102
800+ ¥ 6.6223
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