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EMB06N03GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,20A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: EMB06N03GH-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) EMB06N03GH-VB

EMB06N03GH-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本文档描述的是一个适用于多种电子设备的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。该MOSFET的主要功能是作为同步降压低侧开关和同步整流POL转换器的一部分。这些应用包括笔记本电脑、服务器和工作站。该产品的型号为EMB06N03GH。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 门源电压 (VGS): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150 °C): TA = 25 °C时25 A,TA = 70 °C时17 A
    - 脉冲漏极电流 (10 µs脉宽): 70 A
    - 最大耗散功率 (TA = 25 °C): 3.5 W, (TA = 70 °C): 2.2 W
    - 工作温度范围: TJ, Tstg -55°C 至 150°C
    - 静态参数:
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 3.0 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 30 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 开启状态下漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 25 A 时为 0.003 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 22 A 时为 0.004 Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 6500 pF (VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 20 A)
    - 输出电容 (Coss): 930 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 610 pF
    - 总门电荷 (Qg): 45 nC (VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 20 A)

    产品特点和优势


    该MOSFET采用了先进的TrenchFET® Gen II技术,具有超低的开启电阻,适合用于高密度应用。具体特点如下:
    - 集成了先进的TrenchFET技术,保证了超低的开启电阻。
    - 符合IEC 61249-2-21标准,无卤素设计。
    - 在高密度电路板上的表现优异,适应各种工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 同步降压转换器的低侧开关
    - 电源管理中的同步整流POL转换器
    - 笔记本电脑、服务器和工作站中的电源管理

    - 使用建议:
    - 在使用过程中,注意控制工作温度和电流,避免超过绝对最大额定值。
    - 使用过程中,尽量避免频繁的开关动作,减少热应力对设备的影响。

    兼容性和支持


    该MOSFET与标准SO-8封装兼容,可轻松应用于现有电路设计中。制造商提供技术支持和相关文档,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开启电压过高
    - 解决方法: 确认门源电压设置是否正确,检查外部电路连接是否良好。
    - 问题2: 温度过高
    - 解决方法: 检查散热系统是否正常工作,确保工作环境温度符合产品要求。
    - 问题3: 漏电流异常
    - 解决方法: 确认电路设计是否合理,必要时更换符合要求的外部元件。

    总结和推荐


    该N-Channel 30-V MOSFET凭借其先进的技术和优良的设计,在同步降压转换器和电源管理领域表现出色。其超低的开启电阻和出色的耐温性使其成为理想的解决方案。总体而言,我们强烈推荐这款产品给需要高性能MOSFET的用户。

EMB06N03GH-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

EMB06N03GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

EMB06N03GH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 EMB06N03GH-VB EMB06N03GH-VB数据手册

EMB06N03GH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
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