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2SJ637-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2SJ637-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ637-TL-E-VB

2SJ637-TL-E-VB概述

    # P-Channel 100V MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本文档提供了一款P-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的技术手册。该产品具有高可靠性,广泛应用于电源开关和直流/直流转换器等领域。
    主要功能
    - 漏源电压(VDS)为100V
    - 最大连续漏极电流(ID)为8.8A(在25°C下)
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关时间
    应用领域
    - 电源开关
    - 直流/直流转换器
    - 其他需要高可靠性和高效能的电子电路

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) | VDS | -100 | V |
    | 栅源电压(VGS) | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) | ID | -8.8 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | IDM | -25 | A |
    | 单脉冲能量(EAS) | EAS | 16.2 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | PD | 32.1 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55至150°C | °C |
    额定温度下的典型参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 静态 | 漏源击穿电压(VDS) | VDS = 0V,ID = -250μA | -100 V |
    | 栅阈值电压(VGS(th)) | VDS = VGS,ID = -250μA | -1 2.5 | V |
    | 漏电流(IDSS) | VDS = -100V,VGS = 0V | -1 -50μA | V |
    | 导通状态漏电流(ID(on)) | VDS ≤ -10V,VGS = -10V | -15 A |
    | 导通状态电阻(RDS(on)) | VGS = -10V,ID = -3.6A | 0.250 Ω |
    | 输入电容(Ciss) | VGS = 0V,VDS = -50V,f = 1MHz 1055 pF |
    | 反向转移电容(Crss) | VDS = -50V,VGS = -10V,ID = -3.6A | 41 pF |

    产品特点和优势


    特点
    - 采用沟槽栅技术(TrenchFET),保证了出色的性能和可靠性。
    - 完全符合RoHS标准(RoHS Directive 2002/95/EC)和无卤素要求(IEC 61249-2-21定义)。
    - 通过所有测试(100% Rg和UIS测试)确保产品质量。
    优势
    - 低导通电阻,可以实现更高的效率和更低的发热。
    - 快速开关特性,适合高频应用。
    - 高可靠性,适用于严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    该P-Channel MOSFET通常用于以下应用场景:
    - 作为电源开关器件,用于控制电路中的电流。
    - 在直流/直流转换器中作为功率调节器。
    使用建议
    - 在使用时应注意遵守绝对最大额定值,避免过载导致损坏。
    - 由于存在反向恢复电流(IRM(REC)),在选择外部电路时需考虑适当的二极管保护。
    - 使用过程中确保散热良好,以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品设计为适用于多种电路板和系统,但具体兼容性需根据实际应用环境确定。
    支持
    制造商提供了详细的技术文档和支持服务,客户可通过官方服务热线(400-655-8788)获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品如何进行散热管理?
    解决方案:
    - 使用适当的散热片或者散热器,确保器件工作温度不超过最大允许值。
    问题2:为什么产品需要100% Rg和UIS测试?
    解决方案:
    - 这些测试是为了确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性,从而提高最终产品的整体质量。

    总结和推荐


    综合评估
    这款P-Channel 100V MOSFET以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,在电源管理和直流/直流转换器应用中表现出色。其出色的性能使其成为许多电子工程师的首选产品。
    推荐使用
    我们强烈推荐使用这款P-Channel 100V MOSFET,特别是在需要高效能和高可靠性的应用场合。如果您的项目需要在这些方面表现卓越,这款产品将是您理想的选择。

2SJ637-TL-E-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.77V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 188mΩ@10V,195mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ637-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ637-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ637-TL-E-VB 2SJ637-TL-E-VB数据手册

2SJ637-TL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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