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IRFI610GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRFI610GPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFI610GPBF-VB

IRFI610GPBF-VB概述


    产品简介


    IRFI610GPBF-VB 是一款N沟道200V(D-S)MOSFET,专为高压应用而设计。它采用TO-220 Fullpak封装,具备高电压隔离能力和低热阻特性。该MOSFET适用于多种电力电子应用,如电机驱动、电源转换和汽车电子系统。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 200 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.265 Ω (VGS = 10 V)
    - 零栅源漏电流 (IDSS): 25 µA (VDS = 200 V, VGS = 0 V)
    - 最大功率耗散 (PD): 37 W (TC = 25 °C)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 560 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 12 pF
    - 转移电容 (Crss):
    - 总栅极电荷 (Qg): 16 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 5 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 8 nC
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏电流 (ID): 6.5 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 32 A (pulse width ≤ 300 µs; duty cycle ≤ 2 %)
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 5.5 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55 to +175 °C
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 最大结到外壳(漏端)热阻 (RthJC): 4.1 °C/W

    产品特点和优势


    IRFI610GPBF-VB 具备以下几个显著特点和优势:
    - 高电压隔离:提供2.5 kVRMS的高电压隔离能力,确保在高压应用中可靠工作。
    - 低热阻:低热阻设计有助于散热,提高器件的工作稳定性和寿命。
    - 宽温度范围:可承受高达175°C的工作温度,适用于高温环境下的应用。
    - 动态dv/dt评级:高动态dv/dt评级使其适用于快速开关应用。
    - 无铅封装:符合环保要求,无铅可用。

    应用案例和使用建议


    IRFI610GPBF-VB 在多种应用中表现出色,例如:
    - 电机驱动:用于电动机的高效控制,减少能耗。
    - 电源转换:用于直流到直流转换器,提高转换效率。
    - 汽车电子系统:如电动汽车逆变器,满足严格的环境要求。
    使用建议:
    - 确保散热片的良好连接以优化散热效果。
    - 在高速开关应用中,考虑外部电路设计以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的电路板兼容,易于集成。
    - 支持和维护:由专业团队提供技术支持,解答用户疑问,确保产品稳定运行。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理热管理?
    - 解决方案:安装合适的散热片并确保良好的热传导路径。
    - 问题:如何避免过高的栅源电压?
    - 解决方案:在电路设计时加入保护电路,限制栅源电压不超过20 V。
    - 问题:如何改善开关速度?
    - 解决方案:优化驱动电路的设计,选择适当的栅极电阻,降低寄生电感。

    总结和推荐


    IRFI610GPBF-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,适用于高压和高温环境的应用。其高电压隔离、低热阻、宽工作温度范围和快速开关能力使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高性能、高可靠性MOSFET的用户。

IRFI610GPBF-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFI610GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFI610GPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFI610GPBF-VB IRFI610GPBF-VB数据手册

IRFI610GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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