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J220L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-20A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: J220L-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J220L-VB

J220L-VB概述

    J220L-VB P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    J220L-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),适用于各种负载开关应用。它采用D2PAK(TO-263)封装形式,具有高效的电流处理能力和良好的热性能。该产品特别适用于需要高可靠性和良好性能的应用场合,如工业控制、电机驱动、电源管理等领域。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS): -60 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID): -30 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -90 A
    - 最高功率耗散 (PD): 60 W
    - 最大工作温度范围 (TJ): -55°C 到 175°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 175°C
    - 静态参数:
    - 零门限电压漏极电流 (IDSS): -1 μA (VDS = -60 V, VGS = 0 V)
    - 门阈电压 (VGS(th)): -1.0 V 到 -3.0 V
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): -10 A (VDS = -5 V, VGS = -10 V)
    - 导通状态电阻 (rDS(on)): 0.064 Ω (VGS = -1 V, ID = -1 A),0.077 Ω (VGS = -4.5 V, ID = -2 A)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 1000 pF (VDS = -25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 210 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 110 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 9 nC (VDS = -30 V, VGS = -10 V, ID = -8.4 A)
    - 栅极电阻 (Rg): 8.0 Ω (f = 1 MHz)


    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET:使用TrenchFET技术,具有出色的电流处理能力和低导通电阻。
    - 高温稳定性:能够在-55°C到175°C的工作温度范围内稳定运行,适用于极端环境条件。
    - 超低导通电阻:最小导通电阻为0.064 Ω,确保了高效能的应用表现。
    - 快速开关时间:关断延迟时间为15 ns,开启延迟时间为5 ns,适合高速开关应用。
    - 高可靠性:所有产品经过100% UIS测试,确保产品的可靠性和长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    J220L-VB MOSFET广泛应用于各种负载开关应用,如工业控制系统、电机驱动、电源转换器等。例如,在电机驱动系统中,J220L-VB可以作为高速开关组件,有效地控制电机的启动和停止。对于负载开关设计,建议选择合适的散热措施以避免过热导致的产品损坏。此外,在高压环境中,应尽量降低工作频率以减少功耗和发热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J220L-VB MOSFET与大多数常见的PCB布局兼容,可以在多种电路板上进行安装和使用。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和客户服务,包括技术文档、样品请求和售后支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:工作时发现过热现象。
    - 解决方案:增加外部散热片或者使用更高效的散热器以提高散热效果。
    - 问题2:长时间工作后发现电流波动较大。
    - 解决方案:检查电路板上的电源线和接地线连接是否良好,确保没有虚焊或者接触不良的情况。
    - 问题3:在高压环境下出现导通不稳定现象。
    - 解决方案:适当降低工作频率以减少功耗和发热,同时确保散热措施得当。

    总结和推荐


    J220L-VB MOSFET是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,具有高可靠性、优良的电气特性和出色的热性能。它的适用范围广泛,特别是在高功率应用中表现出色。综上所述,强烈推荐在需要高可靠性、高效能的负载开关应用中使用J220L-VB MOSFET。

J220L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J220L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J220L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J220L-VB J220L-VB数据手册

J220L-VB封装设计

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