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NCE4009S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
供应商型号: NCE4009S-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE4009S-VB

NCE4009S-VB概述

    # NCE4009S N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    NCE4009S 是一款高性能的 N 沟道 40V(D-S)MOSFET,采用先进的 TrenchFET® Power 技术制造。此器件具有高效率、低导通电阻和卓越的热稳定性,特别适合于同步整流、电源内部电路(POL)、中间总线转换器(IBC)等应用。
    主要功能
    - 高可靠性:通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试。
    - 环保特性:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 IEC 61249-2-21 标准。
    - 应用范围:广泛用于同步整流、POL 和 IBC 中的次级侧控制。

    2. 技术参数


    以下是 NCE4009S 的关键技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 | ±20 V |
    | 漏源击穿电压 40 | V |
    | 导通电阻(典型值) 0.014 | 0.016 | Ω |
    | 最大连续漏极电流 9 | 15 | A |
    | 电荷存储量 10 | 15 | nC |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散:6 W(TC=25°C),3.8 W(TC=70°C)
    - 热阻抗:RthJA=37°C/W(最大值)

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 技术确保卓越的开关性能。
    - 完全符合环保标准,适用于绿色电子产品设计。
    - 高效的散热性能,能够有效延长使用寿命。
    市场竞争力
    NCE4009S 在同类产品中具有领先的导通电阻和快速开关能力,使其成为高性能应用的理想选择。特别是在需要高效能和低功耗的场合下,表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 同步整流电路:由于其低导通电阻,可显著降低功耗。
    - 中间总线转换器:优秀的热管理能力使其在高负载条件下稳定运行。
    使用建议
    为了最大化利用 NCE4009S 的性能,建议在设计时注意以下几点:
    - 优化 PCB 布局以减少寄生电感。
    - 确保良好的散热条件,尤其是在高温环境下。

    5. 兼容性和支持


    NCE4009S 支持 SO-8 封装形式,与主流电路板设计高度兼容。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻值 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查焊接质量和安装工艺 |
    | 温度过高 | 改善散热措施 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NCE4009S 是一款集高性能、环保设计于一体的 N 沟道 MOSFET,特别适合要求高效率和稳定性的应用场合。其优异的导通电阻和出色的热管理能力,使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐使用
    强烈推荐使用 NCE4009S 在需要高效能、低功耗的电路设计中。它不仅能满足当前的需求,还为未来的技术升级预留了空间。

NCE4009S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE4009S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE4009S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE4009S-VB NCE4009S-VB数据手册

NCE4009S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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